第七章半导体存储器阎.ppt

文档介绍：第七章半导体存储器第七章半导体存储器 概述能存储大量二值信息的器件输入输入/ /出电路出电路 I/O I/O 输入输入/ /出出控制控制!单元数庞大!输入/出引脚数目有限一、一般结构形式主要技术指标:存取容量、存取速度 EPROM ROM ROM 可擦除的可编程可编程掩膜 RAM RAM 动态静态二、分类 1、从存/取功能分: RAM :在工作时既能从中读出(取出)信息,又能随时写入(存入)信息,但断电后所存信息消失。 ROM :在工作时只能从中读出信息,不能写入信息, 且断电后其所存信息仍能保持。 2、从工艺分: ①双极型② MOS 型只能改写一次。 ROM 掩膜 ROM 一、结构二、举例 011111 001001 110110 101000 D 0D 1D 2D 3A 0A 1数据地址 010AAW? 011AAW? 012AAW? 013AAW? 313 311 3202 100WWD WWD WWWD WWD?????????两个概念: ?存储矩阵的每个交叉点是一个“存储单元”,存储单元中有器件存入“1”,无器件存入“0”?存储器的容量: “字数 x 位数”掩膜 ROM 的特点: 出厂时已经固定,不能更改,适合大量生产。简单,便宜,非易失性。 可编程 ROM ( PROM ) 总体结构与掩膜 ROM 一样,但存储单元不同写是一次性编程,不能改! ! 编程时将不用的熔断有出厂时,每个结点上都熔丝由易熔合金制成??? 可编程 ROM ( PROM ) 总体结构与掩膜 ROM 一样,但存储单元不同写入时,要使用编程器