文档介绍：电力电子选择填空复习题
填空题：
1、 门极驱动电路是电路和主电路的接口。
2、 栅极，集电极和IGBT的三端。
3、 门极驱动电路通常要提供电气隔离环节，一般采用光隔离和。
4、 使晶闸管维持导通所必需的最小电流，称为。
5、 三相桥整流电路的有源逆变工作状态中，允许采用的最小逆变角一般取.
7、 在单相全波可控整流电路中，晶闸管承受的最大反向电压为.
8、 在三相桥式全控整流电路中，电阻负载移相范围是。
9、 单相桥式全控整流电路阻感负载（其中电感很大）时，交流侧电流谐波次数为：
次（用 k=l, 2, 3, •••,表示）。
10、 在单相半波可控整流电路中a =60° , U2=100V,输出电压平均值Ud= V.
11、 在降压斩波电路中，E=20V , Uo=10V, a 12、对于星形连接的三相工线交流调压 电路电阻负载时，电路的移相范围是。
13、 就换流方式而言，IGBT直流斩波电路采用换流，串联二极管式晶闸管逆变电路采用 换流。
14、 在三相电压源型逆变电路中，其基本工作方式是
15、 在PWM逆变器中，提高直流电压利用率的方法之一是用代替正弦波做调制信号。
16、 ，阳极和阴极是晶闸管的三端。
17、 晶闸管门极触发信号刚从断态转入通态即移去触发信号，能维持通态所需
要的最小阳极电流，是。
18、 门极驱动电路通常要提供电气隔离环节，一般采用和。
19、在三相桥式全控整流电路中，触发延迟角a和逆变角B关系是。
20、 在单相桥式全控整流电路中，晶闸管承受的最大反向电压为。
21、 在单相桥式全控整流电路中，电阻负载移相范围是阻感负载（电感足够大）移相 范围是。
22、 三相桥式全控整流电路阻感负载（其中电感很大）时，交流侧电流谐波次数为： 次（用 k=l, 2, 3, •••,表示）。
23、 在单相桥式全控整流电路中a =60° , U2=100V,输出电压平均值Ud= V.
24、 在升压斩波电路中,E=30V, & =,则输出电压平均值U25、交流调压电路和交流 调功电路的电路形式完全相同，所不同的
是.
26、 对于电流源型逆变器，交流侧电流是
27、 并联谐振式逆变电路采用换流。
28、 在三相桥电流源型逆变电路中，其基本工作方式是导电方式。
29、 对于普通晶闸管，由于只能控制其开通，不能控制其关断，被称
为O
30、 晶闸管并联时，应确保各器件承受的相等。
31、 通常采用，使得电力电子电路的驱动电路和主电
路隔离。
32、 在三相桥式全控整流阻感负载电路中，晶闸管的有效值IVTId.
33、 在三相桥式全控整流电路中，如果触发延迟角是a,则逆变角
B=34、在单相半波可控整流电阻负载电路中，a =60° , U2=200V, R=2 Q ,输出电流平均
值Id
35、在三相桥式全控整流电路中，电阻负载移相范围是阻感负载
移相范围是。
36、.
37、对于电压源型逆变电路，交流侧输出电压波形是。
38、在PWM逆变器中，提高调制信号。
选择题：
在下列全控整流器件中，工作频率最高的是（）
GTO B. GTR C. Power MOSFET D. IGBT
对于下列电力电子器件，（）