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三星AMOLED驱动芯片中文版说明书.doc

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三星AMOLED驱动芯片中文版说明书.doc

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文档介绍

文档介绍:S6E63D6说明书
S6E63D6是一个有内置存储器、电源电路。最大可以显示
240-RGBX320像素图像。最大色彩分辩率为26万色。另外,该芯片支持
低温多晶硅平板显示器。
S6E63D6支持Qualcomm公司的高速接口,支持MDDI (移动显示数 字接口,Mlbile Display Digital Interface) ,MDDI完全符合录像电子标准协 会(VESA, Video Electronics Standards Association )o 同时 MDDI 接口也 是确保高速短距离通信的非常有效的接口。S6E63D6支持18-/16-/9-/8-bit 高速总线接口从來來保证与系统存储器的有效通信。
芯片有一个外部接口,在图像显示屮,该芯片可以提供18-/16-/6-bits 的RGB总线接口以转换26万色的色彩数据。
该芯片可以工作在低压状态下,同时有可以存储240-RGB x 320像素 的26万色的图像数据。同时,它也有内部的booster电路来产生OLED驱 动电压以及电压跟随器來驱动电路。
S6E63D6芯片可用在驱动内部需要长时间匸作的小屏幕如手机、MP3 等屏幕上來。
如下表1为电源供应接口。
Symbol
I/O
功能描述
VDD
电源
内部逻辑电路和RAM的供电电源,在内部连接着稳压 器的输出,为提高可靠性,连接着一个电容,在外部不 要接电源。
MVDD
电源
内部RAM供电,与VDD片外接在一起。
RVDD
电源
校准的逻辑电压()。
VDD3
电源
I/O电源供应(〜)。
VCI
电源
模拟电路电源(VCI: 〜),是VCI1放大器的内 部参考电压。
VCI MDDI
电源
模拟电路电源(VCI MDDI : 〜)。
VSS VSSA
VSSC
系统地
系统地。
VSS MDDI
电源
系统I/O地。
VGS
I
灰度电压产生电路的参考电斥,当源驱动器(source diiver)用來调整每个面板的灰度水平时,将该管脚连接 一个外部电阻。
veil
I/O
第一个booster电路的参考电压。
VCIRIN
I
使用外部的VCIR产生模式时,为外部参考电圧输入端 口。
VLIN1/VLO
UT1
I/O
应用VLOUT1电床的输入管脚/第一个booster电路输出 点,建议将这两个管脚连接在一起。
VLIN2/VLO
UT2
I/O
应用VLOUT2电压的输入管脚/第二个booster电路输出 点,建议将这两个管脚连接在一起。
VLIN3/VLO
UT3
I/O
应用VLOUT3电斥的输入管脚/第三个booster电路输出 点,建议将这两个管脚连接在一起。
CUP,C11M
C12P,C12M
I/O
使用第一个booster电路时外部电容连接管脚。
C21P,C21M
I/O
使用第二个booster电路时外部电容连接管脚。
C31RC31M
C32RC32M
I/O
使用第三个booster电路时外部电容连接管脚。
VREG1OUT
I/O
用VLOUT1和GND间幅度产生灰度电压的参考电压。
VGH
o
门级驱动的正电压。
VGL
o
门级驱动的负电压.
VINT
o
面板的初始化电压。
VSP
o
外部光敏元件的供电电压,不用时需要悬空。
ELVDD
I
信号处理模块的输入电压,不用时需与地连接。
MTPG
I
MTP编程电压,不用时需要悬空。
MTPD
I
MTP编程电压,不用时需要悬空。
Vex
I
与地相连。
表1电源接丨|
如表2所示为系统接口。
Symbol
I/O
功能描述
S_PB
I
选择CPU接口模式,低电平时为并行接口,高电平时为串行 接口。
MDDI_E N
I
选择MDDI接口,低电平时MDDI接口不可用,高电半时 MDDT接口可用°
LD_MIB
I
选择CPU种类,低电平为intel 80系列CPU,高电平为motorola 68系列CPU,如果S PB是高电平,该端口为ID设置端口。
CSB
I
片选信号,低电平芯斤可用,高电平芯片不可用。
RS
I
寄存器选择管脚。
低电平时,指令/状态,高电平时为指令参数/RAM数据。 不用时需与VDD3接在一起。
RWWR
B/SCL
I
管脚作用
CPU种类
管脚说明
RW
68系列
读写选择,低电平写,高电平读。
WRB
80系列
写选通作用,在上升沿捕获数据。
SCL