文档介绍：一纯螺型和一纯刃型位错平行： 由于螺型力场仃xz和仃yz,而没有刃
型滑移和攀移所需的仃yx和仃xx ；同样，刃型力场仃xx、仃yy、。yx
和。zz中也没有螺型滑移所需的仃8，所以，两位错间没有相互
作用
任意柏格斯矢量的两个平行的直线位错： 分解为刃型分量和螺型
分量，分别计算两螺和两刃间的相互作用，再叠加起来
结论：若柏格斯矢量夹角。/2 ,则两位错互相排斥；若柏格斯矢量
夹角 ＞兀/2,则两位错互相吸引
2、位错塞积：许多位错被迫堆积在某种障碍物前， 如错误！未找到
引用源。所示，它们来自同一位错源，具相同的柏格斯矢量， 障碍物如晶界
塞积群（在垂直于位错线方向的） 长度：对刃型为N^b由（I"）,对 螺型为N^b/nio正比于位错总数N,反比于外加切应力T
塞积群的平衡：外加切应力所产生的 滑移力Fx= 7b,使位错尽量靠紧； 其他位错间的排斥力（每一对位错间的排斥力，式 2-74）使 位错尽量散开；障碍物阻力（短程），仅作用在塞积群前端的 位错上达很高的数值。三者间的平衡
位错塞积群前端的应力集中： 受外力，同时受所有其它位错作用在
领先位错与障碍物间挤压产生局部应力 钉=^。n （塞积位错数）倍
于外力的应力集中，能使相邻晶粒屈服，也可能在晶界处引起裂缝。
.位错反应：位错之间的相互转化。 譬如一分为二或两合为一，
2b b b
位错反应条件：1、反应前矢量和等于反应后矢量和，即£ b前=£ b后
2、反应后总能量小于反应前总能量，即£ b^ =£搂
（因为能量正比于b2）。反应2bT b+b使能量从
4b2降为2b2变稳定
.位错交割：位错互相切割的过程
林位错：穿过运动位错的滑移面的其它位错。它会阻碍位错运动或
位错切它而过
位错割阶：交割过程中使位错被切割而产生的一小段不在原滑移面
上的位错（错误！未找到引用源。）为两刃交割：它的柏格斯
矢量是原矢量；（错误！未找到引用源。）为一刃一螺交割: 柏格斯矢量与螺位错相同
（二）位错与点缺陷的相互作用
点缺陷在晶体中引起弹性畸变，受到位错应力场的作用。如 正刃，滑移面上晶胞体积小一些，吸引比基体小的置换式溶质原 子和空位；下边大一些，吸引间隙原子和比基体原子大的置换式 溶质原子
位错与溶质原子的相互作用能： 外力（被假定为球形的溶质原子改
变体积）反抗位错应力场所作的功
1
U = --（- xx .二 yy - zz） V
3
△V为溶质与基体原子体积差。
刃型位错的应力场公式代入有：
sin 【 "b 1
U = A——， 其中 A = -b1—AV
r 3二 1
以此可分析得到吸引或排斥某种原子的区域， 错误！未找到 引用源。
史诺克（Snoek）气团：螺型位错与周围的溶质原子作用，原子在沿x、 y、z的三种面心位置上发生择优分布（应力感生有序），使
系统能量降低。这是因为面心位置上原子在＜100＞方向相接邻 的基体原子距离近，在＜110＞方向相接邻的基体原子距离远, 所以产生四方性的畸变(错误！未找到引用源。)，不但有正 应力分量，同时有切应力分量，也与螺型位错发生相互作用
柯垂耳(Cottrell) 气团：若温度和时间允许，溶质原子向位错附近 的聚集。使位错的运动受到限制，因为这时推动位错运动，或 挣脱气团束缚，或拖着气团前进
电学相互作用：刃位错附近晶格的局部膨胀和压缩引起自由电子的 再分布，在膨胀一侧浓度偏高，压缩一侧偏低， 结果使得膨胀 区荷负电，压缩区荷正电，整个位错成为一个线状的电偶极子。
化学相互作用：位错周围溶质原子的浓度满足C exp(-U),
kT
其中G为溶质原子平均浓度，U为互作用能。超过溶解度极
限时，沉淀物质点在位错线上析出
空位、间隙原子和位错的互相转化： 过饱和度太高的空位沿一定
晶面聚成片状析出，如 错误！未找到引用源。所示，太大后失
稳，崩塌并合，转化成位错环；异号刃位错相遇，互相抵消，
变成一列空位或填隙原子，如 错误！未找到引用源。所示；当
两个螺型位错相切割时会产生刃型的位错割阶， 带有刃型割阶
的螺型位错继续滑移时，它的割阶将被迫攀移，结果在割阶走 过的地方产生一串空位或者间隙原子，如错误！未找到引用源
所示。
五、位错源与位错增殖
尽管位错是热力学不稳定的缺陷，但它们却经常存在于晶体 之中，特别是金属晶体，位错密度一般很高
（一）位错的来源
位错产生：位错的能量很大，除非晶体受到的应力接近理论切变的 强度，位错不能靠热激活产生。位错不会在晶体中均匀形核 1、过饱和空位可以凝聚成空位片（错误！未找到引用源。）， 空位片崩塌时便转化成位错环
2、结晶时若偏析显著，点阵常数也不同，过渡