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文档介绍：电力电子技术
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电力电子器件概述

不可控器件——电力二极管

半控型器件——晶闸管

典型全控型器件

其他新型电力电子器件

功率集成电路与集成电力电子模块

静电感应晶闸管SITH
MOS控制晶闸管MCT
静电感应晶体管SIT
集成门极换流晶闸管IGCT
基于宽禁带半导体材料的电力电子器件
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基于宽禁带半导体材料的电力电子器件
■宽禁带半导体材料
耐压等级与导通电阻的矛盾
通流能力与开关速度的矛盾
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基于宽禁带半导体材料的电力电子器件
■宽禁带半导体材料
◆
◆ （eV）
◆ 典型的是碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、金刚石等
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基于宽禁带半导体材料的电力电子器件
■宽禁带半导体材料的特点
◆耐受高电压、低通态电阻
◆更好的导热性能和热稳定性
◆耐受更高的高温和辐射
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■宽禁带半导体材料的特点
◆SiC MOSFET的特点
☞ 开通速度与IGBT和MOSFET差不多，但是反并联二极管 恢复速度更快
☞ 关断过程没有没有少子存储效应
☞ 常闭型、电压驱动型、驱动功率小
基于宽禁带半导体材料的电力电子器件
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■ 结型场效应晶体管
■ 多子导电，工作频率与MOSFET相当，功率容量比MOSFET 大，适用于高频大功率场合
■ 不加栅极驱动时，SIT导通，加负偏压时关断，使用不方便
■ 通态电阻大，还未得到广泛应用
静电感应晶体管SIT
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■ IGBT + GTO
■ IGCT（ Integrated Gate Commutated Thyristors ）
■由平板型GTO + 多个并联MOSFET + 门极驱动电路组成
■容量与普通GTO相当，开关速度比普通GTO快10倍
■驱动功率仍然很大
■ 通态电阻大，还未得到广泛应用
集成门极换流晶闸管IGCT
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■ SIT + GTO
■又称为场控晶闸管（Field Controlled Thyristor——FCT）
■与GTO类似，开关速度比GTO高得多，是大容量的快速器件
■驱动功率仍然很大
■电流关断增益较小，应用范围还有待拓展
静电感应晶闸管SITH
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