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文档介绍：场效应晶体管及其电路分析
第一篇 电子器件基础
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1、绝缘栅场效应管(IGEFT)
NMOS增强型结构示意图与电路符号
（2）三个集：源集，栅（门）集，漏集
（1）二个PN结：衬源，衬漏
工艺特点：
源漏高掺杂
栅绝缘电阻大
NMOS结构
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1、绝缘栅场效应管(IGEFT)（续）
PMOS增强型结构示意图与电路符号
（2）三个集：源集，栅（门）集，漏集
（1）二个PN结：衬源，衬漏
工艺特点：
源漏高掺杂
栅绝缘电阻大
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2、NMOS增强型工作原理
（1）VGS增加形成反型层，大于VT产生沟道，漏源之间形成导电通路
**衬源和 衬漏之间加反向偏置**
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2、NMOS增强型工作原理（续1）
（2）加入VDS形成漏源电流
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2、NMOS增强型工作原理（续2）
（3）继续加大VGS， 沟道变宽，沟道R变小，ID增加
**场效应管是电压控制型器件**
**场效应管导电由N+的多子形成，单极型器件，T特性好**
NMOS工作原理1
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2、NMOS增强型工作原理（续3）
（4）继续加大VDS， ID适当增加，源-漏电位逐步升高，沟道预夹断
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2、NMOS增强型工作原理（续4）
（5）预夹断后继续加大VDS，沟道夹断，ID恒定
**漏源增加的电压降在夹断区**
NMOS工作原理2
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3、N沟道耗尽型MOSFET
（1）SIO2中预埋正离子
（3）υGS负到V GS(off)(VP示)，沟道消失
（2）VGS=0时就存在内建电场，形成沟道
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4、结型场效应管(JFET)
（1）N沟道和P沟道JFET结构与符号
**JFET正常工作时，两个PN结必须反偏 **
**NJFET **
**PJFET **
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