文档介绍：会计学
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数字(shùzì)逻辑逻辑门电路
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晶体管的开关特性(tèxìng)及参数
作用于开关(kāiguān)器件
1 接通(jiē tōnɡ)
2 截止
阻抗小
阻抗大
短路
开路
脉冲信号(MHz)
晶体管的开关特性即：1与2及其转化特点
脉冲f 很高，要求开关状态变化很快，t:μs→ns
半导体器件如晶体二极管、三极管和MOS管都有导通和截止的开关作用，器件特性分为静态特性和动态特性，前者指器件在导通与截止两种状态下的特性，后者指器件在状态转换过程中的特性。
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一、二极管的开关(kāiguān)特性
（1）单向(dān xiànɡ)导电性→正向导通与反向截止
1、特性(tèxìng):
i
RL
D
vI
（2）说明：
（1）必须限制正向电流；
（2）二极管导通时，都有一定的管压降，这相当于接通时有一定的电阻；
（3）二极管的反向电阻并非无穷大；
2、过渡过程：
正通→反止，存在反向恢复时间tre，ns级
反止→正通，开通时间，比tre很短
特点：二极管从反向截止到正向导通的时间比从正向导通到反向截止的时间短得多，即过渡过程主要考虑反向恢复过程。
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第三页，共73页。
一、二极管的开关(kāiguān)特性
2、过渡(guòdù)过程：
tt
ts
tre
vi
t
VF
-VR
IF
i
t
-IR
t1
i
RL
D
vI
⑴反向(fǎn xiànɡ)过程为:
0～t１，二极管导通，则
t１时，vI突变，实际情况中，二极管并不立即截止，而是电流由正向的IF变为一大的反向电流IR=VR/RL，维持时间ts后，经过tt，，此时二极管才进入反向截止状态。
Key words:存储时间ts，渡越时间tt，反向恢复时间tre(ns)
！由于tre的存在，二极管的开关速度受到限制。
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PN结正向(zhènɡ xiànɡ)偏置
－
－
－
－
+
+
+
+
空间电荷区变薄
P
N
+
扩散(kuòsàn)长度LP
正向电流
存储电荷N区中少子空穴
存储电荷P区中少子电子
+
-
（2）产生(chǎnshēng)反向恢复过程的原因--电荷存储效应
一、二极管的开关特性
2、过渡过程：
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PN结改为反向(fǎn xiànɡ)偏置
由于(yóuyú)电荷存储效应，反向向电流大，经过tre ，存储的少子电荷消失，电流变得很小。（）
势垒区先不变
P
N
扩散(kuòsàn)长度LP
-
+
形成反向电流IR
复合
复合
－
－
－
－
+
+
+
+
（2）产生反向恢复过程的原因--电荷存储效应
一、二极管的开关特性
2、过渡过程：
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－
－
－
－
+
+
+
+
空间电荷区变厚
N
P
+
_
+
+
+
+