文档介绍：模拟电子技术复****资料总结
第一章半导体二极管
半导体的基础知识
半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质（如硅Si、锗Ge）。
特性---光敏、热敏和掺杂特性。
本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。
两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。
杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。 体现的是半导体
的掺杂特性。
*P型半导体：在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是 电子）。
*N型半导体： 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是
空穴）。
杂质半导体的特性
*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。
*体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。
*转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导 体。
PN 结
PN 结的接触电位差---~，~。
PN 结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。
PN结的伏安特性
正向特性
lA 0
f t
反向特性
半导体二极管
*单向导电性——正向导通，反向截止。
*二极管伏安特性----同PN结。
*正向导通压降—— ~，~。
*死区电压------ ，。
分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低 若V阳＞V阴（正偏），二极管导通（短路）；
若V阳＜V阴（反偏），二极管截止（开路）。
1）图解分析法
该式与伏安特性曲线
的交点叫静态工作点 Q
（a）二极管电路 ＜b）图解分析
2）等效电路法
直流等效电路法
*总的解题手段----将二极管断开，分析二极管两端电位的高低 若V阳＞V阴（正偏），二极管导通（短路）;
若V阳＜V阴（反偏），二极管截止（开路）。
*三种模型
6 g %
理想模型 （b）悄床源橈型 5）折践模翌
微变等效电路法
'八兀7 ⑴小常号模利
稳压二极管及其稳压电路
*稳压二极管的特性---正常工作时处在PN结的反向击穿区，所以稳压二极管在 电路中要反向连接。
J
LL
-
AlWUl tf/V
' 1证J
J—1
稳压骨的伏安特件
第二章三极管及其基本放大电路
、类型及特点
类型---分为NPN和PNP两种。
特点---基区很薄，且掺杂浓度最低；发射区掺杂浓度很高，与基区接触
面积较小；集电区掺杂浓度较高，与基区接触面积较大。
三极管的三种基本组态
何共娠射极组态
（时典集贞极纽态
何冥基様组态
三极管内各极电流的分配
^C= ^E=^BN + ^CN = ^b + /c ^b= Athg
共发射极电流放大系数（表明三极管是电流控制器件
+ (1 +" ^?7b+/cEO -pin
式子 H T川呎 称为穿透电流。
*输入特性曲线---同二极管。
测试出路
STS
mee/V
CIO输入特性曲线
*输出特性曲线
（饱和管压降，用UCES表示
放大区—发射结正偏，集电结反偏。
截止区—发射结反偏，集电结反偏。
温度升高，输入特性曲线向左移动。
温度升高 O、
（简化）
hie---输出端交流短路时的输入电阻， 常用r be表示；
hfe---输出端交流短路时的正向电流传输 常用B表示；
（c）输出特性曲线
■ ■
气 4
比,
四•基本放大电路组成及其原则
VT 、V：O Ro、 R、Ci、
组成原则----能放大、不失真、能传输
g简化的H聲数等效电路
乳本放大电路的****惯闽法
五•放大电路的图解分析法
直流通路与静态分析
*概念---直流电流通的回路。
*画法---电容视为开路。
*作用---确定静态工作点
* 直流负载线---由VCc=I cRC+UCe确定的直线
*电路参数对静态工作点的影响
（a）改变世h <b）改变観 （c）故变£工:
）改变Rb : Q点将沿直流负载线上下移动。
）改变RC : Q点在I bq所在的那条输出特性曲线上移动。
）改变VCc：直流负载线平移，Q点发生移动。
交流通路与动态分析
*概念---交流电流流通的回路
*画法---电容视为短路，理想直流电压源视为短路。
*作用---分析信号被放大的过程。
*交流负载线---连接Q点和V cc'点V cc' = UCeq+I cR l'的 直线。