文档介绍：. .
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半导体制造工艺流程
半导体相关知识
本征材料：纯硅 9-10个
250000Ω 3
N型硅：掺入V族元素--磷P、砷As、锑Sb
P型硅：掺入 III族元素—镓Ga、硼B
PN结：
半导体元件制造过程可分为
前段〔Front End〕制程
晶圆处理制程〔Wafer Fabrication；简称 Wafer Fab〕、
晶圆针测制程〔Wafer Probe〕；
后段〔Back End〕
构装〔Packaging〕、
测试制程〔Initial Test and Final Test〕
晶圆边缘检测系统
一、晶圆处理制程
晶圆处理制程之主要工作为在矽晶圆上制作电路与电子元件，为各制程中所需技术最复杂且资金投入最多的过程，以微处理器〔Microprocessor〕为例，其所需处理步骤可达数百道，而其所需加工机台先进且昂贵，有时可达数千万一台，其所需制造环境为为一温度、湿度与含尘〔Particle〕均需控制的无尘室〔Clean-Room〕，虽然详细的处理程序是随著产品种类与所使用的技术有关；不过其根本处理步骤通常是晶圆先经过适当的清洗〔Cleaning〕之后，接著进展氧化〔O*idation〕及沉积，最后进展微影、蚀刻及离子植入等反覆步骤，以完成晶圆上电路的加工与制作。
晶圆与晶片的区别
制造半导体前，必须将硅转换为晶圆片。这要从硅锭的生长开场。单晶硅是原子以三维空间模式周期形成的固体，这种模式贯穿整个材料。多晶硅是很多具有不同晶向的小单晶体单独形成的，不能用来做半导体电路。多晶硅必须融化成单晶体，才能加工成半导体应用中使用的晶圆片。晶片由晶圆切割成，直径和晶圆一样，厚度为300μm
由于硅很硬，要用金刚石锯来准确切割晶圆片，以得到比要求尺寸要厚一些的晶片。激光锯也有助于减少对晶圆片的损伤、厚度不均、弯曲以及翘曲缺陷。      切割晶圆片后，开场进入研磨工艺。研磨晶圆片以减少正面和反面的锯痕和外表损伤。同时打薄晶圆片并帮助释放切割过程中积累的硬力。研磨后，进入刻蚀和清洗工艺，使用氢氧化钠、乙酸和硝酸的混合物以减轻磨片过程中产生的损伤和裂纹。关键的倒角工艺是要将晶圆片的边缘磨圆，彻底消除将来电路制作过程中破损的可能性。倒角后，要按照最终用户的要求，经常需要对边缘进展抛光，提高整体清洁度以进一步减少破损。
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