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金属%2f共轭聚合物表面及界面光电子能谱的研究.pdf

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金属%2f共轭聚合物表面及界面光电子能谱的研究.pdf

上传人:jd234568 2016/8/6 文件大小:4.01 MB

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文档介绍

文档介绍:摘要摘要共轭聚合物发光二极管(PLED)是平板显示领域的前沿技术,器件结构的设计及其性能的提高是该技术的核心,而其中金属材料与聚合物发光层表面和界面的性质又是决定器件性能的关键因素之一。作者在硕士研究生期间,致力于以光电子能谱,特别是同步辐射光电子能谱为主要实验技术研究了聚合物发光器件中的金属电极与共轭聚合物的表面与界面,具体内容主要集中在以下几个方面: poly(3_hexylthiophene) (rr—P3HT)和Poly(9,9一di一11一hexylfluorenyl一2,7-vinylene)(PDHFV)薄膜样品,用原子力显微镜(AFM)观测样品薄膜的表面形貌,测量了表面粗糙度。 ,应用同步辐射光电子能谱(SRPES)和X射线光电子能谱(XPS)技术,原位研究了金属Ca在rr—P3HT薄膜样品上沉积过程中界面处的化学反应和电子结构。结果表明,Ca在rr-P3HT表面沉积过程中,不但引起了rr-P3HT的能带发生弯曲,而且选择性地与其中的S原子发生了强烈的化学反应:Ca传递电子给rr-P3HT,导致rr-P3HT功函数和电子注入势垒降低。并勾画出了当Ca沉积剂量为10 A时的界面能级排布图。 -P3HT形成界面的过程。结果表明,在沉积Li的初始阶段(0-20 A),Li主要与rr-P3HT表面中微量的氧杂质以及S原子发生了化学反应,但与C元素并无明显的化学相互作用。当Li 的沉积量为20 A至100 A之间,Li主要扩散进入rr-P3HT表面以下。在沉积量为100 A之后,Li主要在rr-P3HT表面呈三维生长。同时,在界面形成过程中,Li向rr-P3HT注入电子,引起了rr_P3HT能带弯曲,使真空能级与电子注入势垒得到有效的降低。。 。结果发现,除了Ca与PDHFV中的氧杂质反应,同时也与PDHFV中的C元素发生了化学反应,而且注入电子到PDHFV中,引起能带弯曲。关键词:AFM,SRPES,XPS,Ca,Li,rr-P3HT,PDHFV,表面与界面,化学反应, 电子结构 Abstract anic electroluminescence is anadvanced technology inthefieldofflatpanel light-emitting diodes(PLEDs)have attracted increasing attention due totheirpromising vast applications theefficiency and lifetimeofdevices isthe core ofdeveloping ,the properties of the metals and polymers interfacesplay crucialroles intheperformance thesis isdevoted tothestudy ofsurface and interface ofmetal/polymer inPLEDs using photoemission spectroscopy(PES), especially synchrotron radiation photoemission spectroscopy(SRPES).The main topics of the thesis can be summarized asfollows: 1)Conjugated polymer,regioregular poly(3一hexylthiophene)(rr-P3HT)and poly(9,9一di-n-hexylfluorenyl-2,7-vinylene)(PDHFV),films were prepared by spin—coating the chloroform solution onto clean silicon wafer surface morphologies ofrr-P3HT andPDHFV filmswere investigated by atomic forcemicroscopy(AFM).The resultsindicate thatthesurfaces ofthepolymer films arerelatively fiatanduniform. bining