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第一章 半导体二极管
一 . 半导体的基础知识
1. 半导体 --- 导电能力介于导体和绝缘体之间的物质 ( 如硅 Si 、锗 Ge)。
特性 --- 光敏、热敏和掺杂特性。
本征半导体 ---- 纯净的具有单晶体结构的半导体。
两种载流子 ---- 带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。
杂质半导体 ---- 在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。
*P 型半导体 :
*N 型半导体 :
在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）
在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）
。
。
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杂质半导体的特性
载流子的浓度 --- 多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。
体电阻 --- 通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。
转型 --- 通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。
PN 结
* PN 结的接触电位差 --- 硅材料约为 ~，锗材料约为 ~。
PN 结的单向导电性 --- 正偏导通，反偏截止。
PN 结的伏安特性
. 半导体二极管
单向导电性 ------ 正向导通，反向截止。
二极管伏安特性 ---- 同ＰＮ结。
* 正向导通压降 ------ 硅管 ~，锗管 ~。
死区电压 ------ 硅管，锗管。
3. 分析方法 ------ 将二极管断开，分析二极管两端电位的高低 :
若 V 阳 >V 阴( 正偏 ) ，二极管导通 (短路 ); 若V 阳<V 阴( 反偏 ) ，二极管截止 (开路)。
1）图解分析法
该式与伏安特性曲线
的交点叫静态工作点 Q。
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等效电路法
直流等效电路法
* 总的解题手段 ---- 将二极管断开，分析二极管两端电位的高低 :
若 V 阳 >V 阴( 正偏 ) ，二极管导通 ( 短路);若 V 阳 <V 阴( 反偏 ) ，二极管截止 (开路)。
三种模型
微变等效电路法
. 稳压二极管及其稳压电路
稳压二极管的特性 --- 正常工作时处在 PN 结的反向击穿区， 所以稳压二极管在电路中要反向连接。
第二章 三极管及其基本放大电路
一 . 三极管的结构、类型及特点
类型 --- 分为 NPN和 PNP两种。
特点 --- 基区很薄，且掺杂浓度最低；发射区掺杂浓度很高，与基区接触
面积较小；集电区掺杂浓度较高，与基区接触面积较大。
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二 . 三极管的工作原理
三极管的三种基本组态
三极管内各极电流的分配
共发射极电流放大系数( 表明三极管是电流控制器件
式子 称为穿透电流。
共射电路的特性曲线
输入特性曲线 --- 同二极管。
输出特性曲线
( 饱和管压降，用 UCES表示
放大区 --- 发射结正偏，集电结反偏。
截止区 --- 发射结反偏，集电结反偏。
温度影响
温度升高，输入特性曲线向