文档介绍：IGBT 管的万用表检测方法 IGBT 管的好坏可用指针万用表的 Rxlk 挡来检测,或用数字万用表的“二极管”挡来测量 PN 结正向压降进行判断。检测前先将 IGBT 管三只引脚短路放电,避免影响检测的准确度;然后用指针万用表的两枝表笔正反测 G、e 两极及G、c 两极的电阻,对于正常的 IGBT 管(正常 G、C 两极与 G、c 两极间的正反向电阻均为无穷大;内含阻尼二极管的 IGBT 管正常时,e、C 极间均有 4kΩ正向电阻), 上述所测值均为无穷大; 最后用指针万用表的红笔接 c极, 黑笔接 e极, 若所测值在 3. 5kΩl 左右, 则所测管为含阻尼二极管的 IGBT 管, 若所测值在 50k Ω左右, 则所测 IGB T 管内不含阻尼二极管。对于数字万用表,正常情况下, IGBT 管的 C、C 极间正向压降约为 0. 5V 。综上所述, 内含阻尼二极管的 IGBT 管检测示意图如图所示, 表笔连接除图中所示外, 其他连接检测的读数均为无穷大。如果测得 IGBT 管三个引脚间电阻均很小, 则说明该管已击穿损坏; 若测得 IGBT 管三个引脚间电阻均为无穷大, 说明该管已开路损坏。实际维修中 IGBT 管多为击穿损坏。达林顿管的检测方法和参数达林顿晶体管 DT ( Dar1ington Transistor ) 亦称复合晶体管。它采用复合过接方式, 将两只或更多只晶体管的集电极连在一起,而将第一只晶体管的发射极直接耦合到第二只晶体管的基极,依次级连而成,最后引出 E、B、C三个电极。图1 是由两只 NPN 或 PNP 型晶体管构成达林顿管的基本电路。假定达林顿管由 N 只晶体管( TI-Tn ) 组成, 每只晶体管的放大系数分别这 hFE1 、 hFE2 、 hFEn 。则总放大系数约等于各管放大系数的乘积: hFE ≈ hFE1 · hFE2 …… hFEn 因此, 达林顿管具有很高的放大系数, 值可以达到几千倍, 甚至几十万倍。利用它不仅能构成高增益放大器, 还能提高驱动能力, 获得大电流输出, 构成达林顿功率开关管。在光电耦合器中, 也有用达林顿管作为接收管的。达林顿管产品大致分成两类, 一类是普通型, 内部无保护电路, 另一类则带有保护电路。下面分别介绍使用万用表检测这两类达林顿管的方法。 1 .普通达林顿管的检测方法普通达林顿管内部由两只或多只晶体管的集电极连接在一起复合而成,其基极 B 与发射极 E 之间包含多个发射结。检测时可使用万用表的 R× 1k或R× 10k 档来测量。测量达林顿管各电极之间的正、反向电阻值。正常时,集电极 C 与基极 B 之间的正向电阻值(测 NPN 管时,黑表笔接基极 B ;测 PNP 管时,黑表笔接集电极 C )值与普通硅晶体管集电结的正向电阻值相近,为 3~10k Ω之间, 反向电阻值为无穷大。而发射极 E 与基极 B 之间的的正向电阻值(测 NPN 管时,黑表笔接基极 B ;测 PNP 管时, 黑表笔接发射极 E )是集电极 C 与基极 B 之间的正、反向电阻值的 2~3 倍,反向电阻值为无穷大。集电极 C 与发射极 E 之间的正、反向电阻值均应接近无穷大。若测得达林顿管的 C、E 极间的正、反向电阻值或 BE 极、 BC 极之间的正、反向电阻值均接近 0 ,则说明该管已击穿损坏。若测得达林顿管的 BE 极或 BC 极之间的、反向电阻值为无穷大,则说明该管已开路损坏。 2. 大功率达林顿管的检测大功率达林顿管在普通达林顿管的基础上增加了由续流二极管和泄放电阻组成的保护电路, 在测量时应注意这些元器件对测量数据的影响。用万用表 R× 1k或R× 10k 档,测量达林顿管集电结(集电极 C 与基极 B 之间)的正、反向电阻值。正常时,正向电阻值( NPN 管的基极接黑表笔时) 应较小,为 1~10k Ω, 反向电阻值应接近无穷大。若测得集电结的正、反向电阻值均很小或均为无穷大,则说明该管已击穿短路或开路损坏。用万用表 R× 100 档, 测量达林顿管发射极 E 与基极 B 之间的正、反向电阻值, 正常值均为几百欧姆至几千欧姆(具体数据根据 B、E 极之间两只电阻器的阻值不同而有所差异。例如, BU932R 、 MJ10025 等型号大功率达林顿管B、E 极之间的正、反向电阻值均为 600 Ω左右),若测得阻值为 0 或无穷大,则说明被测管已损坏。用万用表 R× 1k或R× 10k 档, 测量达林顿管发射极 E 与集电极 C 之间的正、反向电阻值。正常时, 正向电阻值(测 NPN 管时,黑表笔接发射极 E ,红表笔接集电极 C ;测 PNP 管时,黑表笔接集电极 C ,红表笔接发射极 E)应为 5~15k Ω( BU932R 为 7kΩ),反向电阻值应为无穷大,否则是该管的 C