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（bi)NF4 BIOS 商务智能
Settings=Auto,1,,2,,,4,.
这是随机存起内存公司第一个会拿来做评比的时间参数，例如，你可能看见 RAM 被评为 3-4-4-******@275mhz。
第一的设定值 3，如被评为 2 产生最好的性能，CAS3 通常能提供较好的稳定性。请注意；如果你有
Winbond-BH5/6，你可能无法使用 CAS3。数据来自于右列地址的 http:///
CAS 控制时间的数量(在收到命令并且按照那命令执行之间循环(2，，和 3)里。自从 CAS 主要控制 16 进
位的地址的位置，或是记忆区段，在存储矩阵内，最重要的是将此时间参数尽可能的设低来让系统能在稳定
的情况下接受这样的设定，在存储矩阵里面有行和列。当请求是时，首先透过电子设定在内存内的某个点，
第一个引发的响应是 tRAS(启动为 Precharge 延迟)。透过电子请求的数据是 precharge，并且实际上去启
动 RAS 存储器为开启状态。一旦 tRAS 为开启的，RAS，或者行地址观测器开始为被要求的数据找到地址的一
半。一旦行被建立，tRCD 被起动，循环结束，然后确实的 16 位位置上的被要求数据将会透过 CAS 来存取。
CAS 从开始到结束的时间被称为 CASlatency。既然 CAS 是找出正确数据的最后依个阶段，所以它也是内存最
重要的计时步骤。
这个 BIOS 在 CAS 信号的维护与来自目标存储组件的可用性数据之间，具有控制延迟(在时钟周期里)的能力。
它也决定了完成第一步骤爆发转换的频率循环周期数。换句话说，CASlatency 越低，内存读写的速度就会
越快。请注意一些内存模块可能无法处理更低的 latency 并且可能遗失数据数据。因此，当推荐你把 SDRAMCAS
潜伏时间降低到 2 或者 个更好的记忆性能的时钟周期时，如果你的系统变得不稳定，你应该增加它。有
趣的是，增加 CAS 潜伏时间经常允许内存模块以更高的频率?#092;转。所以，如果你在超频时遇到意外困难，
试着增加 CAS 潜伏时间。
频宽的些微影响/稳定度的大影响。我们建议设定︰，2，，和 3。(设定值小=效能高)
RAS#toCAS#Delay(tRCD)
Settings=Auto,0,1,2,3,4,5,6,7.
这是大多数随机存取内存公司会拿来做评比的第二个时间参数。例如，你可能看见 ram 被评比为
3-4-4-******@275mhz。这里的第 1 个 4，在那种情形。这个 BIOS 具备的功能允许你去设定在 RAS 和 CAS 信号之间的延迟。你的记忆器模块的适当延迟被反映在它
时间参数的评价。在 JEDEC 的规格里，这是在 3 或者 4 个数列的第 2 位数。因为这次延迟发生每当排被更新
或者一个新排被开动时，降低延迟改进性能。因此，推荐你把延迟降低到 3 或者更好的记忆性能 2。请注意
如果你使用对于你的内存模块来说太低的价值，这有可能引起系统的不稳定。如果你的系统在降低 RAS 对 CAS
的延迟之后变得不稳定，你应该增加延迟或者把它重新设定到被评价的延迟。有趣的是，增加 RAS 对 CAS 的
延迟可以允许内存模块以更高的频率?#092;转。因此，如果你遇到意外困难超频你 SDRAM 模件，你可以试着
增加 RAS 对 CAS 的延迟。
关于频宽的影响大/稳定性。为我们建议底座︰2-5----2 产生最好性能，和 4-5 产生最好超频(5 通常过度杀
伤)。
通常便宜的 RAM 将不能使用 2，并且达到他们的最大的 OC。(设定值小=效能高)
MinRAS#ActiveTiming(tRAS)
Settings=Auto,00,01,02,03,04,05,06,07,08,09,10,11,12,13,14,15.
这是大多数随机存取内存公司会拿来做评比的第 4 个时间参数。例如，你可能看见 ram 被评比为
3-4-4-******@275mhz。这里指的是这个 8，在那种情形。
他的 BIOS 控制记忆空间的最小排活跃的时间(tRAS)。开动直到时间，这形成一排是的时间相同的排可能被
解散。如果 tRAS 时期过长，它会因非必要停用活跃的记忆排而降