文档介绍：导体分立器件的型号命名方法半导体分立器件的型号命名方法: 1国标命名方法:(引自 GB249-74 ,1975 ) 半导体器件有 5部分组成第一部分:用数字表示器件的电极数目。 2,二极管。 3,三极管第二部分:用汉语拼音表示器件的材料极性。二极管:A,N 锗材料,B,P 锗材料,C,N 硅材料,D,P 硅材料,三极管:A,PNP 锗材料,B,NPN 锗材料,C,PNP 硅材料,D,NPN 硅材料,E,化合物材料。第三部分:用汉语拼音表示器件的类型。 P普通管, V 微波管, W稳压管, C参量管, Z整流管, L整流堆, S隧道管, N阻尼管, U光电管, X低频小功率, G高频小功率, D低频大功率, A高频大功率, T体效应管, B雪崩管, J 阶跃恢复管, CS场效应管, BT半导体特殊器件, FH复合管, PIN,PIN 管, JG激光管。第四部分:用数字表示器件的序号。第五部分:用汉语拼音表示规格号。收藏分享 aloevera ?助理工程师 2 #发表于 2010-10-25 23:15 |只看该作者美国半导体器件的命名方法: 美国半导体器件的命名比较混乱,这里介绍的是美国电子工业协会( EIA )规定的晶体管分立器件的命名法。第一部分:用符号表示用途和类别, JAN, 或J军用。无,民用。威望 822 金钱 843 第二部分:用数字表示 PN结数, 1,二极管, 2,三极管。。。。第三部分: 美国电子工业协会( EIA )注册标志,N 第四部分: 美国电子工业协会( EIA )登记序号。第五部分: 同型号的不同档别, A,B,C …美国半导体器件的命名特点: 1除前缀以外, 凡以 1N,2N,3N 开头的器件, 大多为美国制造,或美国专利。 2第四部分只是登记序号,无其他意义,所以相邻号参数也许相差很大。 3,不同厂家生产性能一致的器件使用同一登记号,故可以通用。 TOP aloevera ?助理工程师威望 822 金钱 843 3 #发表于 2010-10-25 23:16 |只看该作者欧洲半导体分立器件的型号命名方法: 目前欧洲各国没有明确统一的型号命名方法,但大部分欧洲共同体的国家一般使用国际电子联合会的标准版导体分立器件的型号命名方法。第一部分:用字母表示材料: A锗材料, B硅材料, C***化钾, D锑化铟, R复合材料。第二部分:用字母表示类型。 A检波开关和混频二极管,B 变容二极管, C低频小功率三极管,D低频大功率三极管, E隧道二极管, F高频小功率三极管, H磁敏二极管, K 开放磁路霍尔器件, M密封磁路霍尔器件, P光敏器件, Q发光器件, R小功率可控硅, T大功率可控硅, U大功率开关管, X 倍增二极管, Y整流二极管, Z齐纳二极管,L高频大功率管,S小功率开关管第三部分:通用半导体器件的登记序号。第四部分:同一型号器件的分档标志。 TOP aloevera ?助理工程师威望 822 金钱 843 4 #发表于 2010-10-25 23:18 |只看该作者日本半导体器件的命名方法: 第一部分:用数字表示器件的电极数, 0,光电管, 1二极管, 2三极管。。。第二部分: S:已在日本电子工业协会( JEIA )注册的标志。第三部分:用字母表示材料的类型: A,PNP 高频, B,PNP 低频, C,NPN