文档介绍：第1章电力电子器件
1. 使晶闸管导通的条件是什么?
答:使晶闸管导通的条件是:晶闸管承受正向阳极电压,并在门极施加触发电流(脉冲)。或:uAK>0且uGK>0。
2. 维持晶闸管导通的条件是什么?怎样才能使晶闸管由导通变为关断?
答:维持晶闸管导通的条件是使晶闸管的电流大于能保持晶闸管导通的最小电流,即维持电流。
要使晶闸管由导通变为关断,可利用外加电压和外电路的作用使流过晶闸管的电流降到接近于零的某一数值以下,即降到维持电流以下,便可使导通的晶闸管关断。
3. 图1-43中阴影部分为晶闸管处于通态区间的电流波形,各波形的电流最大值均为Im,试计算各波形的电流平均值Id1、Id2、Id3与电流有效值I1、I2、I3。
图1-43 晶闸管导电波形
解:a) Id1==() Im
I1== Im
b) Id2 ==() Im
I2 ==
c) Id3== Im
I3 == Im
4. 上题中如果不考虑安全裕量,问100A的晶闸管能送出的平均电流Id1、Id2、Id3各为多少?这时,相应的电流最大值Im1、Im2、Im3各为多少?
解:额定电流I T(AV) =100A的晶闸管,允许的电流有效值I =157A,由上题计算结果知
a) ,
b) ,
c) Im3=2 I = 314, Id3= Im3=
9. 试说明IGBT、GTR、GTO和电力MOSFET各自的优缺点。
解:对IGBT、GTR、GTO和电力MOSFET的优缺点的比较如下表:
器件
优点
缺点
IGBT
开关速度高,开关损耗小,具有耐脉冲电流冲击的能力,通态压降较低,输入阻抗高,为电压驱动,驱动功率小
开关速度低于电力MOSFET,电压,电流容量不及GTO
GTR
耐压高,电流大,开关特性好,通流能力强,饱和压降低
开关速度低,为电流驱动,所需驱动功率大,驱动电路复杂,存在二次击穿问题
GTO
电压、电流容量大,适用于大功率场合,具有电导调制效应,其通流能力很强
电流关断增益很小,关断时门极负脉冲电流大,开关速度低,驱动功率大,驱动电路复杂,开关频率低
电力
MOSFET
开关速度快,输入阻抗高,热稳定性好,所需驱动功率小且驱动电路简单,工作频率高,不存在二次击穿问题
电流容量小,耐压低,一般只适用于功率不超过10kW的电力电子装置
第2章整流电路
,U2=100V,负载中R=2Ω,L值极大,当α=30°时,要求:①作出ud、id、和i2的波形;
②求整流输出平均电压Ud、电流Id,变压器二次电流有效值I2;
③考虑安全裕量,确定晶闸管的额定电压和额定电流。
解:①ud、id、和i2的波形如下图:
②输出平均电压Ud、电流Id,变压器二次电流有效值I2分别为
Ud= U2 cosα=×100×cos30°=(V)
Id=Ud /R==(A)
I2=Id =(A)
③晶闸管承受的最大反向电压为:
U2=100=(V)
考虑安全裕量,