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Flash芯片市场情况分析
2016年全球闪存（Flash）的增长动力主要来自终端装
置平均搭载的增加和固态硬盘 （SSD）需求的增长。根据 IC
Insights的统计，20右，2017
年将进一步提升到
30%以上。三星和东芝的
3D技术更是
增加到64层堆叠。二、全球
NAND闪存主要厂商的表现
（一）三星自2013年8月三星率先宣布成功推出
3D
NAND闪存之后，三星便"一马当先"发展3DNAND技术。
2014年年初，三星领先业界采用
24层堆叠量产
3DNAND
闪存，2016年扩大到48层3DNAND
闪存量产。48层相
较于32层堆叠的存储容量可提高
40%，并在
2016年年底
三星的3DNAND
闪存生产比重已提升至
40%。三星除了在
我国西安量产3DNAND闪存，2016年韩国华城
Fab16的
16nm2DNAND闪存芯片生产线改造成
20nm48层3D
NAND闪存生产线，并计划再将韩国华城的
Fab17生产线
用于生产3DNAND闪存，以稳固其在
3DNAND闪存市
场上的地位。2016
年，三星在
3DNAND闪存技术上的最
大进展是实现了64层堆叠。该技术单颗
NAND
闪存芯片容
量增加到 512GB，较48层堆叠的存储密度又增加了一倍，
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2016
年年底已开始供货。三星还计划在
2017
年基于
64
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层
3DNAND
闪存推出容量高达
32TB
的企业级
SAS
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SSD，并声称到
2020
年将提供超过
100TB
的SSD。（二）
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东芝随着 3DNAND 闪存技术的不断提升，东芝宣布其 64
层堆叠 3DNAND 闪存开始送样给用户。 初期样品的存储密
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度为
256GB，然后再提高到
512GB
量产。另外，东芝在
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2015
年开始改建的
Fab2
工厂已在
2016
年上半年投入生
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产。随着 3DNAND 闪存量产的不断增加， 东芝的目标是在
2017年将整体
3DNAND闪存生产比重提高至
50%，2018
年进一步提高至
90%左右的水平。（三）SK海力士目前，
SK海力士的
3DNAND
闪存以36
层MLC（多层单元）
为主，良率可达
90%以上。除了用于企业级
SSD产品，
还积极导入嵌入式产品中应用，最新的
和eMMC
SK海力士的第二代
36
层3DNAND
闪
存，目前这些产品均已进入量产阶段。
进入2016
年，SK海
力士的
48层
3DNAND
闪存芯片已向用户送样，
并进一步
声称在
2016年年底和
2017年年初完成
72层3DNAND
闪存的研发。这是一项十分具有挑战性的工作。
目前，SK海
力士主要在韩国清州
M11/M12工厂生产3DNAND
闪存
芯片，还计划将
M14
工厂的二楼用于生产
3DNAND
闪
存，2017年上半年投入生产，而且计划投资
建另一座存储器工厂。（四）美光美光的
32
层堆叠3D
NAND
闪存芯片主要在新加坡工厂量产。基于
32层3D
NAND闪存技术，美光面向消费类市场推出了
BX300系列
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和1100系列的3DSSD，最大容量可达
2TB。为了在技术
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上赶超竞争对手，美光于
2016年年初扩建的
Fab10X工厂
开始量产。计划下一代3DNAND闪存技术跳过
48层，
2017年直接跳到64层。而且现在的
16nm2DNAND闪存
技术也将直接切换到生产
3DNAND
闪存，预计
2017年美
光3DNAND闪存的投产量将增加一倍。（五）英特尔2016
年，英特尔和美光联手研发的
3DNAND闪存技术进展神速。
英特尔和美光的新加坡合资工厂在
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