文档介绍：Quantum3D
量子力学效应的三维仿真模型
Quantum3D提供一套强大的栅MOSFET。
器件的尺寸降低到纳米范围。为了找到本征函数和本征能量，先在器件的横向片断中求解
为了建模纳米线晶体管中或其他强大横向限制结构中的电子二维薛定谔方程。然后求解NEGF量子传输方程，得到从源极
传输，Quantum3D提供了一个基于非平衡格林函数的算法的新至漏极传输的各种子带（模式）的电子密度和电子电流。通
量子动力模型。这是一个全面的量子力学方法，可解决在一常，耦合模式空间(CMS)方法用于解决混杂电子模式。在简
个相等基础上的源极到漏极隧道，弹道传输和量子限制效应单的统一横截面情况下，则使用更快的非耦合模式空间(UMS)
等。法。
三维硅纳米线FET的器件原理图(左上
图), 总电流密度的等表面图(右上图以
及电子密度的等表面图（下图），源
极和漏极区域张开，使用耦合模式空间
NEGF方法计算所得。
硅纳米线晶体管的电路图 (左图)和I-V 特征(右图)，带有统一的沟道横截面，使用非耦合模式空间NEGF 法计算所得。漂移扩散模式空间模型
漂移扩散模式空间模型(DDMS)属于半经典器件运输方法，附效应，并继承了所有用户熟悉的ATLAS模型特性，用于迁移
带强大横向限制，简易替代模式空间NEGF法。它类似于模式率、复合、碰撞电离和带间隧穿。该模型允许一维子带的
空间NEGF，其解分解为横向的二维薛定谔方程和每个子带中