微加工简报.pdf

文档介绍：微加工简报
构及形变场
分布图
氢化金刚石单晶表面的局部电特性
可见盲紫外探测器I-V特性及绝缘层厚度对器件光响应的影响
替位式N中心是高温高压(HPHT)金刚石薄
膜中的主要杂质来源，然而，它对表面电导
准一维非均匀体系的I-V 特性 的影响仍有争议。同时，人们对HPHT金刚石
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化学掺杂的准一维聚合物的结构独特，即在聚合物链中有些区域结 的氢化机制及其对表面电导的影响的认识还 （１１ １）
不完整。鉴此，中科院物理所微加工实验室 １）
构有序，有些却无序。这一复杂的结构通常被看作是导电区域被小部分
的李云龙博士等，采用双探针扫描电镜测量
绝缘阻挡层所分开。Kaiser 等提出用基于涨落诱发的遂穿与热激发模型