典型纳米结构制备及其测量表征.pdf

文档介绍：典型纳米结构制备及其测量表征
蒋庄德 1，2，王琛英 1，2，杨树明 1，2
（，西安 71004 征结构作为测量样品，并采用 AFM、SEM 等测量仪
造和测量领域中的研究重点。 器对所制备的纳米结构进行测量、分析和表征。
[收稿日期] 2012-07-09
[基金项目] 国家自然科学基金重大研究计划重点支持项目（90923001）；教育部科学技术研究重大计划项目（311001）；高等学校学科创新引
智计划项目（B12016）
[作者简介] 蒋庄德（1955―），男，辽宁大连市人，教授，博士生导师，研究方向为微型机械电子系统（MEMS）与微纳米技术、精密仪器与传感
器技术、精密与超精密加工技术等；E-mail：******@
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年第 卷第 期 纳米栅线结构的制备和测量表征 的线宽；然后，将淀积有多层薄膜的硅片划片为具
纳米栅线结构的制备 有一定规格的样片，对各样片的横截面进行金相抛
采用基于多层薄膜淀积工艺制备纳米栅线结 光处理形成光滑的多层薄膜截面（见图 1b)；最后，
构。首先在硅基底上交替淀积多层金属层和绝缘 利用选择性湿法刻蚀或干法刻蚀技术刻蚀绝缘层
层，严格控制每层膜厚，形成厚度方向的叠层结构 材料，金属层膜即凸现出来形成了纳米线宽（或节
（见图 1a），其中金属层膜厚等于所设计的纳米栅线 距）结构（见图1c）。
图1 基于多层薄膜淀积工艺制备纳米栅线结构
Nanolines based on multi􀆼layer thin􀆼film deposition process
基于上述方法，采用反应离子刻蚀技术（RIE） 对样片进行金相抛光后的 SEM 图像，图 2b 为采用
制备得到了宽度分别为 20 nm、25 nm、35 nm，间隔 RIE 对样片