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文档介绍：微加工简报
氧化镓纳米线的合成及电性质研究
纳米硅锥阵列的场发射特性
β-Ga2O3是一种重要的宽禁带半导体材
如何获得具有高的长径比、低 料，在光电子器件、气体传感器件方面有
的功函数和良好导电性的场发射 广阔的应用前景。目前报道了不少合成一
体，一直是真空电子学领域所关心 维氧化镓纳米结构的方法，但对其电性质
的重要问题。最近，中科院物理所 的研究还很有限。中科院物理研究所微加
微加工实验室的王强博士等人与电 工实验室的黄阳等人利用水蒸气与金属镓
镜实验室的马拥军博士及表面实验 反应制备了具有高长径比（直径在10－
室的白雪冬副研究员合作，采用无 40nm）的氧化镓纳米线，然后利用电子
掩模等离子体刻蚀技术，在多孔硅 束光刻和离子束辅助沉积等微加工技术制
衬体上制备出长径比高、取向性一 作了单根氧化镓纳米线气敏元件，并对其
致和分布均匀的纳米硅锥阵列。场 气敏特性进行了研究。研究表明氧化镓纳
发射测试结果表明，这种具有碳涂 米线可以和Au/Ti电极形成良好的欧姆接
敷层的纳米硅锥阵列具有优异的场