文档介绍：Brilliance Electric
用 I功率
MOS7 IGBTS可以用在 200KHZ或低于 200KHZ的硬开关应用中，而 1200V IGBTS可用在 50KHZ或低
于50KHZ的硬开关应用中。
事实上，IGBTS的开启速度和MOSFETS是近似的，这使得IGBTS更适合软开启应用，如相移
桥。就像MOSFETS一样，软开启可明显扩展IGBTS的使用频率。在需要从发射极向集电极传导
电流这样的相移桥应用中，可以在同一个封装中，用IGBT和反并联二极管复合。复合器件中
二极管的特性远远高于MOSFET的体二极管。
由于有效地寿命控制，PT IGBTS能够很好的用于软关断，但是关断时间会好，因为它具
有更短的关断延迟和电流下降时间。
总的来说，在小电流、高频或高效应用中，MOSFETS击败了IGBTS。在相同电压电流下，Brilliance Electric
MOSFET芯片面积远大于IGBT，因此具有更高的成本。IGBTS和MOSFETS就类似于经济型车和跑
车的价格/性能。IGBTS对MOSFETS的主要优势就是较低的成本。在一定的工作条件下，还有高
效率和高功率密度优势。
应用举例
在硬开关应用中，如PFC升压变换器输出电压为 400V的应用中，IGBTS是明智的选择。基
于感应开关测试的仿真，比较了两个并联的APT5024BLL(500V、22A),单一的
APT5014B2LL(500V、35A)和单一APT30GP60B(600V、49A) MOS7 PT IGBT 的性能。条件是：
400V输出电压，18A的开关电流，125℃结温,15V的栅驱动电压，10Ω的栅电阻是对每个
APT5024BLL MOSFETS和APT30GP60B而言，对于APT5014B2LL,是 5Ω的栅电阻。结果如图 3 所
示。请注意，这里的仿真条件是：工作频率为 50、100、150、200KHZ硬开关升压变换器，器
件和散热器之间加有绝缘垫片。
图 3：两个并联的MOSFETS与单一IGBTS导通损耗和开关损耗的对比
由于电导调制作用，IGBT具有低的导通损耗。功率MOS7 IGBT的低导通损耗有效弥补了
它的高开关损耗。对于高达