文档介绍：材料科学根底-名词解释
材料科学根底名词解释〔上海交大第二版〕
第一章原子结构
结合键 结合键分为化学键和物理键两大类，化学键包括金属键、离子键和共价键；物理键即范德华力。
化学键 是指晶体内相邻原子族 元素 与第二至第四元素构成的 化合物 ，他们不遵守化合价规律，但满足一定的电子浓度，虽然电子化合物可用 化学式 表示，但实际成分可在一定的范围变动，可溶解一定量的 固溶体 。
38、间隙相：原子半径较小的非金属元素如C，H，N，B等可与金属元素〔主要是过渡族金属〕，，形成具有简单晶体结构的相，称为间隙相。
39、间隙化合物：原子半径较小的非金属元素如C，H，N，B等可与金属元素〔主要是过渡族金属〕，，形成具有复杂晶体结构的相，通常称为间隙化合物。
第三章晶体缺陷
点缺陷：点缺陷是最简单的晶体缺陷，它是在结点上或邻近的微观区域内偏离晶体结构正常排列的一种缺陷。其特征是在三维空间的各个方向上尺寸都很小，尺寸范围约为一个或几个原子尺寸，故称零维缺陷，包括空位、间隙原子、杂质或溶质原子等。
线缺陷：其特征是在两个方向上尺寸很小，另外一个方向上延伸较长，也称一维缺陷，如各类位错。
面缺陷：其特征是在一个方向尺寸上很小，另外两个方向上扩展很大，也称二维缺陷，晶界、相界、孪晶界和堆垛层错都属于面缺陷。
空位：一个原子具有足够大的振动能而使振幅增大到一定限度时，就可能克服周围原子对它的制约作用，跳离其原来的位置，使点阵中形成空结点。
间隙原子：从空位中跳离，挤入点阵的空隙位置的原子。
刃型位错：一种位错在晶体中有一个刀刃状的多余半原子面的位错形式。
螺型位错：原来与位错线相垂直的品而都将由平而变成螺旋的一种位错形式。
混合位错：滑移矢量既不平行也不垂直于位错线，而与位错线相交成任意角度的位错。
全位错：把伯氏矢量等于点阵矢量或其整数倍的位错称为“全位错〞
不全位错：柏氏矢量不等于点阵矢量的不全位错。
柏氏回路：在实际晶体中，西欧那个任一原子出发，围绕位错〔避开位错线附近的严重畸变区〕以一定的步数作一右旋闭合回路，称为柏氏回路。
柏氏矢量：通常将形成一个位错的晶体的相移矢量定义为该位错的柏氏矢量，用b表示。
柏氏矢量的物理意义：同一晶体中，位错的柏氏矢量愈大，位错强度也愈大，说明该位错导致的点阵畸变愈严重，它所具有的能量也愈高。
柏氏矢量的守恒性：不管所做柏氏回路的大小、形状、位置如何变化，怎样任意扩大、缩小或移动，只要它不与其他位错线相交，对给定的位错所确定的柏氏矢量是一定的。
位错的滑移：在外加应力作用下，通过位错中心附近的原子沿柏氏矢量方向在滑移面上不断地作少量的位移的过程。
交滑移：当某一螺型位错在原滑移面上受阻时，从滑移面转移到与之相交的另一滑移面上的过程叫做交滑移。
位错的攀移：刃型位错在垂直于滑移面的方向上运动，把多余半原子面向上或向下运动的过程。
位错的交割：一个位错在某一滑移面上运动时，会与穿过滑移面的其他位错发生相互作用的过程。
割阶：垂直于位错滑移面得曲折滑移曲线。
扭折：在滑移面上的曲折滑移曲线。
位错密度：单位体积晶体中所含的位错线的总长度。
位错增殖：晶体在受力过程中，位错发生运动，位错数目增加，位错密度变大的过程。
扩展位错：通常把一个全位错分解为两个不全位错，中间夹着一个堆垛层错的整个位错组称为扩展位错。
层错能：层错破坏晶体的完整结构和争产的周期性，使电子发生反常的衍射效应，使晶体增加的能量。
扩展位错交滑移：位错束集呈全螺型位错，然后再由该全位错滑移到另一个滑移面上的过程。
晶界：属于同一固相但位向不同的晶粒之间的界面称为晶界。
亚晶界：相邻亚晶粒之间的界面称为亚晶界。
晶界能：形成单位面积界面时系统的自由能变化。
孪晶界：两个晶体沿一个公共晶面构成晶面对称的位向关系，这两个晶体的公共晶面就称为孪晶面。
相界：具有不同结构的两相之间的分界面称为相界。按结构特点，相界面可分为共格相界、半共格相界和非共格相界三种类型。
第四章固体中原子及分子的运动
质量浓度 单位体积混合物中某组分的质量称为该组分的质量浓度。
扩散 物质分子从高浓度区域向低浓度区域转移，直到均匀分布的现象。
间隙扩散 原子从一个晶格中间隙位置迁移到另一个间隙位置。
空位扩散 通过空位进行跳动的扩散称为空位扩散。
下坡扩散 物质从高浓度向低浓度的扩散。
上坡扩散 物质从低浓度向高浓度的扩散。
稳态扩散 质量浓度不随时间变化而变化的