文档介绍：第三章场效应晶体管及其放大电路晶体管是一种电流控制型器件,晶体管放大电路工作时,需要由信号源给晶体管提供一定的输入电流,所以,晶体管的输入电阻较低。场效应晶体管是电压控制型器件,它利用电压改变电场的强弱来控制管子的导电能力,其控制端电流几乎为零,因而具有很高的输入电阻。因为场效应晶体管工作时基本上只有一种载流子参与导电,所以也称为单极型晶体管,而晶体管工作时两种载流子均参与导电,所以也称为双极型晶体管。场效应晶体管还具有热稳定性好、噪声低、抗辐射能力强、制造工艺简单、便于集成等优点,因此在电子电路中得到了广泛的应用。第三章场效应晶体管及其放大电路第一节场效应晶体管第二节场效应晶体管基本放大电路*第三节场效应晶体管应用电路举例本章小结第三章场效应晶体管及其放大电路第一节场效应晶体管场效应管的分类根据结构和工作原理的不同,场效应管可分为两大类:结型场效应管N沟道:耗尽型P沟道:耗尽型绝缘栅型场效应管N沟道:增强型和耗尽型P沟道:增强型和耗尽型第三章场效应晶体管及其放大电路一、增强型绝缘栅场效应晶体管的结构及工作原理源极栅极漏极增强型N沟道MOS管结构示意图增强型N沟道MOS管符号增强型P沟道MOS管符号二氧化硅(SiO2)绝缘层金属(一)结构及图形符号第三章场效应晶体管及其放大电路(二)工作原理UGS对ID及沟道的控制作用:栅源极电压UGS=0时,管子的漏极和源极之间没有导电通道,极间等效电阻很高,漏极电流ID近似为零。UGS足够大时,由于静电场作用,管子的漏极和源极之间将产生一个导电通道(称为沟道),极间等效电阻较小,在UDS作用下,可以形成一定的漏极电流ID。第三章场效应晶体管及其放大电路(三)特性曲线(N沟道增强型MOS管特性)(V)0ID(mA)246123常数??DS)(GSDUUfIVU2GS(th)?2GS(th)GSDOD)1(????GS)(DSDUUfI048161231220UDS(V)ID(mA)VU2GS?VU3GS?VU4GS?VU5GS?击穿区恒流区可变电阻区夹断区开启电压第三章场效应晶体管及其放大电路二、耗尽型绝缘栅场效应晶体管的结构及工作原理(一)结构及图形符号源极栅极漏极二氧化硅(SiO2)绝缘层金属耗尽型N沟道MOS管结构示意图耗尽型N沟道MOS管符号耗尽型P沟道MOS管符号第三章场效应晶体管及其放大电路(二)特性曲线(N沟道耗尽型MOS管特性)??DS)(GSDUUfIID(mA)UGS(V)0-3-1181012642-22GS(off)GSDSSD)1(UuII??DSSIGS(off)U夹断电压常数???GS)(DSDUUfIID(mA)UDS(V)048108101264262141216V1?V2?V1VU0GS?V2VU3GS??夹断区击穿区恒流区可变电阻区第三章场效应晶体管及其放大电路三、结型场效应晶体管的特性(一)结构及图形符号P沟道图形符号N沟道图形符号第三章场效应晶体管及其放大电路(二)(mA)UGS(V)0-3-11456321-2-4常数??DS)(GSDUUfIVU10DS?VU4GS??mAI5DSS?N沟道结型场效应管转移特性2GS(off)GSDSSD)1(UuII????GS)(DSDUUfIID(mA)UDS(V)048104532162141216击穿区V4?V3?V2?V1?VUGS0?恒流区可变电阻区夹断区