文档介绍：关于常见金属晶体的结构
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一、晶体结构的密堆积原理
所谓密堆积结构是指在由无方向性的
金属键力、离子键力及范德华力等结合力
的晶体中, 原子、离子或分子等微粒总是倾
向于采取相互配位“正常价化合物”
“电子化合物”
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练****题:
1. 指出A1型和A3型等径园球密堆积中密置层的方向各在什么方向上。
2. 硅的结构和金刚石相似, Si的共价半径为117pm, 求硅的晶胞参数、晶胞体积和晶体密度。
3. 已知金属钛为六方最密堆积结构, 钛的原子半径为146pm, 若钛为理想的六方晶胞, 试计算其密度。
4. 金属钠为体心立方A2结构, 晶胞参数a=429pm, 试计算钠的金属半径及理论密度。
5. 有一黄铜合金Cu和Zn的质量分数依次为75%,25%, ·cm-3, 晶体属于立方面心结构, 晶胞中含4个原子。, 求:(1)Cu和Zn所占的原子百分数; (2)每个晶胞含合金的质量是多少克; (3)晶胞的体积多大; (4)统计原子的原子半径多大。
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6. 已知金刚石中C—×10－10m，那么金刚石的密度为 g/cm3。（相对原子质量：C ）
7. 金属镍（）是立方面心晶格型式，计算其空间利用率（即原子体积占晶体空间的百分率）；，计算晶体中最临近原子之间的距离；并计算能放入到镍晶体空隙中最大原子半径是多少？
8. SiC是原子晶体，其结构类似金刚石，为C、Si两原子依次相间排列的正四面体型空间网状结构。右图为两个中心重合，各面分别平行的大小两个正方体，其中心为一Si原子，试在小正方体的顶点上画出与Si最近的C的位置，在大正方体的棱上画出与C最近的Si的位置。
Si
C
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两大小正方体的边长之比为_______；Si—C—Si的键角为______ (用反三角函数表示)；若Si—C键长为a cm，则大正方体边长为_______cm；SiC晶体的密度为______g/cm3。（NA为阿佛加德罗常数，相对原子质量 ）。
9. （19分）某同学在学****等径球最密堆积（立方最密堆积A1和六方最密堆积A3）后，提出了另一种最密堆积形式Ax。如右图所示为Ax堆积的片层形式，然后第二层就堆积在第一层的空隙上。请根据Ax的堆积形式回答：
(1).计算在片层结构中（如右图所示）球数、空隙数和切点数之比
(2).在Ax堆积中将会形成正八面体空隙和正四面体空隙。请在片层图中画出正八面体空隙（用·表示）和正四面体空隙（用×表示）的投影，并确定球数、
正八面体空隙数和正四面体空隙数之比
(3).指出Ax堆积中小球的配位数
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(4). 计算Ax堆积的原子空间利用率。
(5). 计算正八面体和正四面体空隙半径（可填充小球的最大半径，设等径小球的半径为r）。
(6). 已知金属Ni晶体结构为Ax堆积形式，，计算金属Ni的密度。（）
(7). 如果CuH晶体中Cu＋的堆积形式为Ax型，H－填充在空隙中，且配位数是4。则H－填充的是哪一类空隙，占有率是多少？
(8). 当该同学将这种Ax堆积形式告诉老师时，老师说Ax就是A1或A3的某一种。你认为是哪一种，为什么？
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答案:
1. A1在C3轴方向上, A3在C6轴方向上。
2.
3.
4.
5. (1)设Cu的原子分数(即摩尔分数)为x, 则:
:(1-x)=:; x=; 1- x=;
(2)×10-25g; (3) ×10-23cm3; (4) 130pm.
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6.
7.
8. 2:1（2分） arccos (-1/3)（2分） （2分）
（2分）
Si
C
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9. (1)．1:1:2（2分）
一个球参与四个空隙，一个空隙由四个球围成；一个球参与四个切点，一个切点由二个球共用。
(2)．图