文档介绍：摘要为(Ba,SOC03和其它相。(PⅥ,):制备的BST薄膜致密、无裂纹;制备的BST陶瓷生坯在烧结温度为1200℃时,瓷体致密,%,晶粒尺寸在1∥m以下;当烧结温度为1300℃,瓷体中出现较严重的二次结晶现象。因此,这种工艺制备陶瓷时,烧结温度范围在1200"-1230℃之间,烧结范围较窄,温度不易控制。:将低温烧块的纳米粉体加入到上述同组分的BST溶胶液中,浆料中纳米粉体的含量(BST(wt%))在72%---83%之间,采用普通球磨制备浆料。浆料干燥后,经1000℃煅烧后制备粉体,采用这种粉体制备BST陶瓷生坯。在制备过程中,采用了常规的烧结工艺和两步烧结工艺。当BST(wt%)为72%时:采用常规的烧结工艺时,烧结温度为1200℃就可以烧结成致密的BST陶瓷,晶粒尺寸<私m;从介电温谱可看到:在012,100KHz时,相对介电常数为2495,;在1300℃时,%,在012,100KHz时,介电常数为6143,,没有出现二次结晶现象,说明采用这种新工艺,可以提高BST陶瓷的烧结范围和抑制二次结晶;采用两步烧结工艺时:晶粒尺寸<l∥m,BST陶瓷材料致密,在0℃,100KHz时,相对介电常数4174,,介电温谱显示明显的弥散相变的特征。从所测得的样品的偏压特性来看;在室温,10KHz时,陶瓷块体在电场为1lkv/cm时,介电可调性为36%,。:将高温烧块的纳米粉体或者亚微米和纳米的混合粉体加入到上述相同的BST溶胶液中,采用普通球磨和高能球磨制备浆料,浆料干燥后,在1000℃煅烧形成粉体,采用这种粉体制备陶瓷块体。当采用高能球磨制备浆料时:浆料中加入纳米粉体,BST(wt%)在79%~83%时,当烧结温度为1230℃时,可制备类混凝土结构的BST陶瓷:瓷体由大晶粒(靴m),中等晶粒(约弘m)和亚微米或纳米晶粒(约400nm以下)组成,小尺寸的颗粒填充在大颗粒和中等颗粒之间,结构致密,%,但是瓷体中有棒状的第二相存在,从介电温谱来看:在0℃,100KHz时,相对介电常数3020,;而混合粉体与两步法工艺不易形成这样的结构。当采用普通球磨制备浆料时:浆料中加入纳米粉体,BST(wt%)为72%时,摘要当烧结温度为1230℃,形成纯钙钛矿、致密的、类混凝土结构的陶瓷,相对密度为:%;从介电温谱中可知:在0"C,1KHz时,相对介电常数5798,。说明了在特殊情况下有意做成的不均匀,在低的烧结温度下,就能获得高的性能。这时,陶瓷的这种混凝土结构就是好结构。:将两种烧块的纳米或者亚微米和纳米的混合粉体加入到同组分上述溶胶液中,SST(wt%)在72%"-'83%之间,采用高能球磨与普通球磨制备悬浮性好、分散均匀、稳定的浆料,浆料可采用匀胶和丝网印刷方法制备BST厚膜,在不同的温度下烧结。影响厚膜的相结构的因素为浆料的制备方法与烧结温度:当采用普通球磨方式制备浆料,浆料匀胶形成的厚膜,在700℃已成明显的钙钛矿结构,但在1230℃,厚膜与底电极发生渗透,厚膜中出现了第二相;当采用高能球磨方式制备浆料时,经150℃干燥后的浆料已存在第二相,匀胶形成的厚膜中第二相的量随热处理温度的升高而增加。影响厚膜的微观形貌的因素:采用高能球磨制备的浆料制备的厚膜的形貌优于普通球磨,两者制备的浆料在700℃时,形成的厚膜非常致密、无裂纹;在1200"C时,厚膜的微观形貌呈明显的类似混凝土的结构。厚膜的介电性能受制备浆料的参数、厚膜形成方式以及烧结温度与烧结工艺的影响,结果表明:采用匀胶法制各厚膜时:影响厚膜的介电性能的主要因素是热处理温度与烧结工艺。在热处理温度为700"--900℃时,厚膜的介电性能变化不明显,在O℃,100KHz时,相对介电常数在300以下,;在1200℃时,当采用低温烧块纳米粉体时,采用常规烧结方法时,在O℃,10Ⅺ屯时,相对介电常数为:646,;采用两步法时,在0"C,10KHz时,相对介电常数为:846,,厚膜的介电性能优于常规的烧结方式。丝网印刷制备厚膜时:影响厚膜的介电性能的主要因素是加入到浆料中的粉体性质、浆料的制备方式与烧结工艺。当烧结温度为1200℃时,浆料中采用高温烧块的纳米或混合粉体高于低温烧块的纳米粉体,普通球磨制备的浆料优于高能球磨,两步烧结工艺高于常规烧结工艺。对于高温烧块纳米粉体来说,采用普通球磨制