文档介绍：半导体问题模板
半导体问题模板
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思考题与练****题
第一章半导体中的电子状态
1、比较说明孤立原子中的电子、自由电子、晶体中的电子的运动状态？
2、定性
3-2所示。
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15、某含有一些施主的p型半导体在极低温度下（即T→0时）电子在各种能级上的分布情况如何？定性说明随温度升高分布将如何改变？
16、什么叫载流子的简并化？试说明其产生的原因。有一重掺杂半导体，当温度升高到某一
值时，导带中电子开始进入简并。当温度继续升高时简并能否解除？
17、有四块含有不同施主浓度的Ge样品。在室温下分别为：
1）高电导n-Ge；（2）低电导n-G；（3）高电导p-Ge；（4）低电导p-Ge；高低比较四块样品EF的。分别说明它们达到全部杂质电离与本征导电温度的高低？
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18、室温下某n型Si单晶掺入的施主浓度ND大于另一块n型Ge掺入的施主浓度ND1。问那一块材料的平衡少子浓度较大？为什么？
19、半导体中掺入大量的施主杂质，可能会出现什么效应？
20、比较并区别如下概念：
（1）k空间状态密度、能量状态密度与有效状态密度
（2）简并半导体和非简并半导体
21、就本征激发而言，导带中平衡的电子浓度一定正比于exp(-Eg/2k0T)吗？为什么？
22、定性讨论如下掺杂硅单晶费米能级位置相对于纯单晶硅材料的改变，及随温度变化时如
何改变：
（1）含有1016cm-3
的硼；
（2）含有10
16
-3
的硼和9×10
15
-3
的金；
cm
cm
（3）含有1015cm-3
的硼和9×1015cm
-3的金；
23、说明两种测定施主和受主杂质浓度的实验方法的原理？
24、已知温度为500K时，硅ni=4×1014cm-3，如电子浓度为
2×1016cm-3，空穴浓度为2
×1014cm-3性，该半导体是否处于热平衡状态？
25、定性说明下图对应的半导体极性和掺杂状况
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26、T→0K，n型半导体导带中电子浓度为“n无”，若在该半导体中掺入少量受主杂质，其
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浓度为NA时导带中电子浓度为“
n有”，证明：
n有/n无=(n有/NA)1/2
27、下图为某杂质半导体导带电子浓度随温度的变化曲线，定性解释该曲线反映的物理机制？
第四章
1、根据散射的物理模型，说明为什么电离杂质使Ge、Si等元素半导体的迁移率随温度按照
关系μ∝T3/2变化，而晶格振动散射使迁移率按照关系μ∝T-3/2变化？
2、什么是声子，它在半导体材料的电导中起什么作用？
3、半导体的电阻温度系数是正的或是负的，为什么？
4、有一块本征半导体样品，请定性说明增加其电导率的两个过程。
一是参杂，增加载流子浓度
二是加热，本征激发，增加电子和空穴浓度。
5、强电场作用下，迁移率的数值与场强E有关，这时欧姆定律是否仍然正确？为什么？
6、光学波散射和声学波散射的物理机制有何区别？各在什么样的晶体中起主要作用？
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7、本征Ge和Si材料中，载流子迁移率随温度增加如何变化？
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8、电导有效质量、状态密度有效质量有何区别？它们与电子的纵有效质量、横有效质量是什么关系？