ITO薄膜的制备方法与应用.pdf

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第 24 卷　第 6 期 桂　林 1. 2　化学气相沉积 (CVD ) 法
响, 所以选择基体时应考虑基体和膜的热膨胀系数的
匹配问题[1 ]。 CVD 法首先是将铟、锡的有机盐气化, 然后在
N 2 或A r 的载气气氛中与O 2, H 2O 或 H 2O 2 等反应而
　磁控溅射法
1. 1 得到 ITO 薄膜。
[9 ]
磁控溅射法是利用惰性气体离子轰击靶材 (一般 To sh iro M aruyam a 等 用 CVD 法制备出优良
为高密度的铟锡氧化物靶材) , 轰击下来的原子沉积 的 ITO 薄膜。 所用原料为二乙基己酸铟 ( In (C 7H 15
到 衬 底 上 形 成 薄 膜。 关 于 这 方 面 的 研 究 论 文 很 COO ) 3) 和四***化锡 (SnC l4 · xH 2O , x= 4～ 5)。 二乙
多[2～ 7 ]。 基己酸铟置于温度为 280℃的容器内, 四***化锡保持
磁控溅射法采用的靶材有 IT 靶和 ITO 靶两种。 在 320℃的容器内, 它们的蒸气作为反应气体由N 2
IT 靶存在一系列缺点, 例如由于放电后滞现象而难 载体引入反应室内。基体材料为硼硅玻璃板, 置于反
于控制溅射过程、膜的重复性差、膜电阻对溅射过程 应室内, 由外置电炉加热。反应温度为 400℃. 膜的成
收稿日期: 2004- 10- 12
基金项目: 国家 863 计划(2003AA 32X140)
作者简介: 职利(1977 ) , 女, 陕西西安人, 桂林电子工业学院信息材料科学与工程系硕士研究生, 助教, 目前主要研究方向为薄膜材料等.
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