文档介绍：Nand Flash 存储结构及控制方法(K9F1G08) 2011-02-26 15:05:59| 分类: 默认分类|标签: mini2440 nandflash k9f1g08 |字号订阅一、 NAND Flash 介绍和 NAND Flash 控制器的使用 NAND Flash 在嵌入式系统中的作用,相当于 PC上的硬盘常见的 Flash 有NOR Flash 和NAND Flash ,NOR Flash 上进行读取的效率非常高,但是擦除和写操作的效率很低,容量一般比较小; NAND Flash 进行擦除和写操作的效率更高,并且容量更大。一般 NOR Flash 用于存储程序, NAND Flas h 用于存储数据。 1)NAND Flash 的物理结构笔者用的开发板上 NAND Flash 型号是 K9F1G08 ,大小为 128M ,下图为它的封装和外部引脚 I/O0-I/O7 数据输入/输出 CLE 命令锁存使能 ALE 地址锁存使能 CE芯片使能 RE读使能 WE写使能 WP写保护 R/B 就绪/忙输出信号 Vcc 电源 Vss 地 不接 K9F1G08 功能结构图如下 K9F1G08 内部结构有下面一些功能部件①X-Buffers Latches &Decoders :用于行地址②Y-Buffers Latches &Decoders :用于列地址③Command Register :用于命令字④Control Logic &High Voltage Generator :控制逻辑及产生 Flash 所需高压⑤Nand Flash Array :存储部件⑥Data Register &S/A :数据寄存器,读、写页时,数据存放此寄存器⑦Y-Gating ⑧I/O Buffers &Latches ⑨Global Buffers ⑩Output Driver NAND Flash 存储单元组织结构图如下: K9F1G08 容量为 1056Mbit ,分为 65536 行(页)、 2112 列,每一页大小为 2kb ,外加 64字节的额外空间,这 64字节的额外空间的列地址为 2048-2111 命令、地址、数据都通过 IO0-IO7 输入/输出,写入命令、地址或数据时,需要将WE、CE信号同时拉低,数据在 WE信号的上升沿被 NAND FLash 锁存;命令锁存信号 CLE 、地址锁存信号 ALE 用来分辨、锁存命令或地址。 K9F1G08 有128MB 的存储空间,需要 27位地址,以字节为单位访问 Flash 时, 需要 4个地址序列 2)NAND Flash 访问方法 NAND Flash 硬件连接如下图: NAND Flash 和S3C2440 的连线包括, 8个IO引脚, 5个使能信号( nWE 、 ALE 、CLE 、nCE 、nRE )、1个状态引脚(R/B )、1个写保护引脚(nWP )。地址、数据和命令都是在这些使能信号的配合下,通过 8个IO引脚传输。写地址、数据、命令时, nCE 、nWE 信号必须为低电平,它们在 nWE 信号的上升沿被锁存。命令锁存使能信号 CLE 和地址锁存使能信号 ALE 用来区别 IO引脚上传输的是命令还是地址。命令字及操作方法操作 NAND Flash 时,先传输命令,然后传输地