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有机场致发光中界面及阱结构的研究.pdf

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有机场致发光中界面及阱结构的研究.pdf

文档介绍

文档介绍:签字日期汐乙笏歹县髫日绻倒签字日期:加如年‘月日学位论文版权使用授权书\本学位论文作者完全了解北京交通大学有关保留、使用学位论文的规定。特授权北京交通大学可以将学位论文的全部或部分内容编入有关数据库进行检索,提供阅览服务,并采用影印、缩印或扫描等复制手段保存、汇编以供查阅和借阅。同意学校向国家有关部门或机构送交论文的复印件和磁盘。C艿难宦畚脑诮饷芎笫视帽臼谌ㄋ得学位论文作者签名:导师签名:
●一,
北京交通大学博士学位论文有机场致发光中界面及阱结构的研究作者姓名:朱海娜导师姓名:徐征学位类别:理学学科专业:光学称:教授学位级别:博士研究方向:发光与信息显示学号:职年中图分类号:学校代码:密级:公开

本论文的工作是在我的导师徐征教授的悉心指导下完成的,徐征教授严谨的治学态度和科学的工作方法给了我极大的帮助和影响。在此衷心感谢四年来徐征老师对我的关心和指导。徐老师勤奋敬业的精神,对工作,对学生认真负责的态度是我一生学****的榜样。徐征教授悉心指导我完成了实验室的科研工作,对我的博士阶段的实验方法的确立,实验结果分析和论文的撰写方面都给予了我很大的帮助。不论是学****上还是生活上都一直关心和鼓励我,使我能够顺利地完成博士阶段的科研和学****在此向徐征教授表示衷心的谢意。张福俊副教授、赵谡玲副教授和冀国蕊老师也一直在学****上和生活上给予我帮助,对于我的科研工作和论文都提出了许多宝贵意见,使我能够更好的完成工作,在此表示衷心的感谢。本论文的实验工作是在北京交通大学光电子技术研究所,发光与信息显示教育部重点实验室中完成的。黄世华教授、王永生教授、张希清教授、何志群教授、邓振波教授、何大伟教授、侯延冰教授、滕枫教授、衣立新教授、娄志东教授、梁春军副教授、由芳田副教授、姚志刚老师对我的科研工作和论文都提出了许多的宝贵意见,在此表示衷心的感谢。在实验室工作及撰写论文期间,王丽伟、袁广才、宋丹丹、岳丽青、卢丽芳、高利岩、张天慧、张妍斐、孔超、闫光、孙钦军、刘晓东、龚伟、田雪雁、穆林平等博士,刘瑞、王智斌、李艳蕊、黄金英、李少彦、宋晶路、李婧、曹文艚、王大伟等硕士对我论文中的研究工作给予了热情帮助,在此向他们表达我的感激之情。另外也感谢我的家人,这四年时间以来我的父母一直默默地支持我,给予我鼓励,是他们的理解和支持使我能够在学校专心完成我的学业。我非常感激我的家人,在此表示衷心的感谢。正是因为有了这么多人的帮助,我才能顺利地完成我博士阶段的学****和生活,在此,向所有指导、关心、帮助过我的人们表示我最真诚的谢意年
中文摘要相比无机电致发光而言,有机电致发光具有材料选择范围宽、可实现由蓝光区到红光区的全彩色显示、驱动电压低、发光亮度和发光效率高、视角宽、响应速度快、制作过程相对简单、费用低、可实现柔性显示等诸多优点。因此有机电致发光在近些年来得到了迅速的发展,科研工作者们普遍认为有机电致发光将成为下一代显示器件的主流。本论文主要研究了阱结构对场调制下有机器件光致发光猝灭的影响,阱结构对有机器件电致发光性能的影响,以及有机器件的空穴传输层与电子传输层界面处发光的特性。全文共分为拢傲秸轮饕=樯芰擞谢缰路⒐獾难芯勘尘昂工作机理,后三章重点讨论我们研究的工作内容,并得到了一些新的结果。首先研究了在反向偏压调制下,两种不同类型的阱结构器件光致发光特性。利用虯票噶怂闹植煌芷谑腎型阱结构有机器件。不同周期数的挖褰峁蛊骷诜聪蚱棺饔孟拢庵路⒐忖鸩煌6嘀芷诘内褰峁蛊骷泄致发光的猝灭要比一个周期的弱。这是因为挖褰峁蛊骷氖期宀仁电子的势阱层,又是空穴的势阱层,这样激子离化后产生的部分自由电子和空穴会被限制在势阱层中,可以进行再复合形成激子参与发光。但当阱结构周期数大于保诜聪蚱沟髦葡拢庵路⒐忖鹚孀胖芷谑龃蠖銮俊U庵饕J且为当阱结构器件的周期增大时,器件的界面数会增多,并且器件中单层材料的厚度也会越来越薄,这两方面会增强器件中的界面态俘获和电极处的载流子猝灭,所以器件的光致发光猝灭会增强。然后我们利用虲两种有机材料制备⋯了三种不同周期数的型阱结构有机器件,讨论了这三种器件在反向偏压调制下的光致发光特性。研究结果显示阒屑ぷ永牖乃俣纫1菴层中激子离化的速度快。这主要是因为当器件加上反向电压时,分布在阒械挠行У绯要比阒械拇蟆5庇谢褰峁蛊骷闹芷谑黾邮保谙嗤姆聪虻缪瓜拢虲层中的发光猝灭强度都会随之增强,因为激子在型阱结构器件中会随着阱结构周期数的增加而变得越来越不稳定,因此周期数较大的器件猝灭现象比较明显。对比场调制下两种不同类型的阱结构器件的光致发光,分析了两种类型的阱结构对器件发光猝灭影响不同的原因。接下来我们对五种阱结构有机器件的电致发光特性进行了研究,分析了阱结构的周期数和势垒层的厚度对器件电学性能的影响。实验结果表明:采用适当周期数的阱结构和适当的势阱层厚度能够提高器件的亮度和效

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