文档介绍：数电第3章四川理工
反向恢复时间即存储电荷消失所需要的时间，它远大于正向导通所需要的时间。这就是说，二极管的开通时间是很短的，它对开关速度的影响很小，以致可以忽略不计。
因此，影响二极管的开关时间主要是
反向恢复时间，而不是开通时间路的GS间有一层绝缘的SiO2薄层。)
在– ～ (VDD+)V以外的区域， iI从零开始增大，并随vI增加急剧上升，原因是保护电路中的二极管已进入导通状态。
注意：由于门电路输入端的绝缘层使输入的阻抗极高，若有静电感应会在悬空的输入端产生不定的电位，故CMOS门电路的输入端不允许悬空。
二、输出特性
低电平输出特性
高电平输出特性
VOL≈0
VOH≈VDD
§ CMOS反相器的动态特性
一、传输延迟时间
t
vi
o
t
vo
o
50%
50%
tpdHL
tpdLH
平均传输时间
二、交流噪声容限
噪声电压作用时间越短、电源电压越高，交流噪声容限越大。
三、动态功耗
反相器从一种稳定状态突然变到另一种稳定状态的过程中，将产生附加的功耗，即为动态功耗。
动态功耗包括：负载电容充放电所消耗的功率PC和PMOS、NMOS同时导通所消耗的瞬时导通功耗PT。
在工作频率较高的情况下，CMOS反相器的动态功耗
要比静态功耗大得多，静态功耗可忽略不计。
§ 其他类型CMOS门电路
一、其他逻辑功能的CMOS门电路
任一输入端为低，设vA=0
vA=0
断开
导通
vO=1
输入全为高电平
vA=1
vB=1
导通
断开
vO=0
任一输入端为高，设vA=1
vA=1
导通
断开
vO=0
输入端全为低
vA=0
vB=0
断开
导通
vO=1
3. 带缓冲级的CMOS门电路
带缓冲级的门电路其输出电阻、输出高、低电平以及
电压传输特性将不受输入端状态的影响。电压传输特性的
转折区也变得更陡。
二、漏极开路输出门电路（OD门）
为什么需要OD门？
普通与非门输出不能
直接连在一起实现“线与”！
A
B
Y
C
D
1
0
产生一个很大的电流
需将一个MOS管的漏极开路构成OD门。
需加一上拉电阻
A
B
Y
OD输出与非门的逻辑符号及函数式
OD门输出端可直接连接实现线与。
A
B
Y
C
D
VDD
RL
RL的选择：
IOH
IIH
n个
m个
VDD
VIL
VIL
VIL
RL
VOH
n是并联OD门的数目，m是负载门电路高电平输入电流的数目。
VIH
VIL
VIL
VDD
RL
VOL
m′个
IOL
IIL
m′是负载门电路低电平输入电流的数目。在负载门为CMOS门电路的情况下，m和m′相等。
①C＝0、 ，即C 端为低电平（0V）、 端为高电平
（＋VDD）时， T1和T2都不具备开启条件而截止，输
入和输出之间相当于开关断开一样，呈高阻态。
三、CMOS传输门
②C＝1、 ，即C 端为高电平（＋VDD）、 端为低电平（0V）时，T1和T2至少有一个导通，输入和输出之间相当于开关接通一样，呈低阻态，vo＝vi 。
TG1
TG2
A
B
Y
A=1、B=0时，TG1截止，TG2导通，Y=B =1;
′
TG1
TG2
A
B
Y
A=0、B=1时，TG2截止，TG1导通，Y=B =1;
TG1
TG2
A
B
Y
A=0、B=0时，TG2截止，TG1导通，Y=B =0;
TG1
TG2
A
B
Y
A=1、B=1时，TG1截止，TG2导通，Y=B =0;
′
双向模拟开关
, G4输出高电平，G5输出低电平，T1、T2 同时截止，输出呈高阻态；
四、三态门
A
Y
EN
′
逻辑符号
1
0
1
1
0
A
Y
EN
′
逻辑符号
0
1
0
1
1
1
0
若A=1，则G4、G5输出均为高电平，T1截止、T2导通，Y=0；
若A=0，则G4、G5输出均为低电平，T1导通、T2截止，Y=1；
0
0
0
1
A
Y
EN
′
A
Y
EN
低电平有效
高电平有效
三态门有三种状态:高电平、低电平、高阻态。
§ CMOS电路的特点
CMOS电路的优点
1. 静态功耗小。
2. 允许电源电压范围宽(318V）。
3. 扇出系数大，噪声容限大。
1．输入电路的静电保护
C