电子技术课件.ppt

文档介绍：电子技术课件
第1页，共47页，编辑于2022年，星期四
第14章 半导体二极管和三极管
本章要求：
一、理解PN结的单向导电性，三极管的电流分配和
电流放大作用；
二、了解二极管、稳压管和三极管的基本构造、工 P 型半导体中空穴是多数载流子，自由电子是少数载流子。
B–
硼原子
接受一个电子变为负离子
空穴
动画
无论N型或P型半导体都是中性的，对外不显电性。
第9页，共47页，编辑于2022年，星期四
1. 在杂质半导体中多子的数量与
（a. 掺杂浓度、）有关。
2. 在杂质半导体中少子的数量与
（a. 掺杂浓度、）有关。
3. 当温度升高时，少子的数量
（a. 减少、b. 不变、c. 增多）。
a
b
c
4. 在外加电压的作用下，P 型半导体中的电流
主要是 ，N 型半导体中的电流主要是 。
（a. 电子电流、）
b
a
第10页，共47页，编辑于2022年，星期四
PN结
PN结的形成
多子的扩散运动
内电场
少子的漂移运动
浓度差
P 型半导体
N 型半导体
内电场越强，漂移运动越强，而漂移使空间电荷区变薄。
扩散的结果使空间电荷区变宽。
空间电荷区也称 PN 结
扩散和漂移这一对相反的运动最终达到动态平衡，空间电荷区的厚度固定不变。
－
－
－
－
－
－
－
－
－
－
－
－
－
－
－
－
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
－
－
－
－
－
－
－
－
动画
形成空间电荷区
第11页，共47页，编辑于2022年，星期四
PN结的单向导电性
1. PN 结加正向电压（正向偏置）
PN 结变窄
P接正、N接负
外电场
IF
内电场被削弱，多子的扩散加强，形成较大的扩散电流。
PN 结加正向电压时，PN结变窄，正向电流较大，正向电阻较小，PN结处于导通状态。
内电场
P
N
－
－
－
－
－
－
－
－
－
－
－
－
－
－
－
－
－
－
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
动画
+
–
第12页，共47页，编辑于2022年，星期四
2. PN 结加反向电压（反向偏置）
外电场
P接负、N接正
内电场
P
N
+
+
+
－
－
－
－
－
－
+
+
+
+
+
+
+
+
+
－
－
－
－
－
－
－
－
－
+
+
+
+
+
+
－
－
－
动画
–
+
第13页，共47页，编辑于2022年，星期四
PN 结变宽
2. PN 结加反向电压（反向偏置）
外电场
内电场被加强，少子的漂移加强，由于少子数量很少，形成很小的反向电流。
IR
P接负、N接正
温度越高少子的数目越多，反向电流将随温度增加。
动画
–
+
PN 结加反向电压时，PN结变宽，反向电流较小，反向电阻较大，PN结处于截止状态。
内