文档介绍：电子电路辅导课件
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电子技术由模拟电子技术和数字电子技术两部分构成。两者的区别在于所处理的信号不同：前者处理的是模拟信号（在时间上或数值上连续变化的信号），相应的电路称为模拟电路；第12页，共52页，编辑于2022年，星期四
总 结
1、N型半导体中电子是多子，其中大部分是所掺杂质提供的电子，本征半导体产生的电子只占少数。 N型半导体中空穴是少子，少子的迁移也能形成电流，由于数量的关系，起导电作用的主要是多子。近似认为多子与杂质浓度相等。
2、P型半导体中空穴是多子，电子是少子。
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3） PN结
PN 结的形成
在同一片半导体基片上，采用半导体工艺分别制造P型半导体（P区）和N型半导体（N区），经过多数载流子的扩散运动，在它们的交界面处就形成了 PN结。
①
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空间电荷区
N型区
P型区
内电场
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② PN结的单向导电性
PN结加上正向电压、正向偏置的意思都是： P区加正、N区加负电压(P+, N-)。
PN结加上反向电压、反向偏置的意思都是： P区加负、N区加正电压(P- , N+)。
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结论：
所谓PN结的单向导电性是指：
1. PN结外加正向电压（正向偏置，即P+， N-）时——PN结导通，其正向导通电阻很小，有较大的正向电流通过（主要由多数载流子组成）；
2. PN结外加反向电压（反向偏置，即P-，N+）时——PN结截止，其反向电阻很大，只流过很小的反向电流（主要由少数载流子组成）；此电流很小，常可视为0。
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2. 半导体二极管
(1)、基本结构
PN结加上管壳和引线，就成为半导体二极管。
引线
外壳
触丝线
基片
点接触型
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PN结
面接触型
P
N
阳极
阴极
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(2)、伏安特性
U
I
门槛电压（死区电压）Uth
硅管 ,
锗管 。
导通电压（压降）UDon
硅管 ~,
锗管 ~。
反向击穿电压U(BR)
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(3)、主要参数
1）额定正向平均电流（最大整流电流） IF
二极管长期使用时，允许流过二极管的最大正向平均电流。
2）最高反向工作电压UR
保证二极管安全工作时允许外加的最高反向电压值。一般取UR=(1/2～2/3)U(BR) 。
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3）反向电流 IR
指二极管外加最高反向工作电压时的反向电流。反向电流大，说明管子的单向导电性差，因此反向电流越小越好。反向电流受温度的影响，温度越高反向电流越大。硅管的反向电流较小，锗管的反向电流要大几十到几百倍。
以上均是二极管的直流参数。二极管的应用主要是利用它的单向导电性, 包括整流、限幅、保护等。
4) 最高工作频率fM
保证二极管的单向导电作用的最高工作频率。
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(4)二极管的应用举例
二极管是电子线路中常用的基本半导体器件之一。它被广泛应用于整流、检波、箝位、限幅以及数字开关电路中。
例 二极管箝位电路
右图电路中，设DA、DB
都是硅二极管；求下列几种
情况下电路输出端的电位VF。
1) VA= VB= 0V;
2)