模拟电子技术基础答案.doc

文档介绍：模拟电子技术基础答案
1
2
1
3
1
4
ui和uo的波形如图所示。
uo的波形如图所示。
ID （c）将VBB反接，且加输入耦合电容。
1
10
（d）在VBB支路加Rb，在－VCC与集电极之间加Rc。
；将电容开路即为直流通路，图略。
：IBQ＝20μA，ICQ＝2mA，UCEQ＝6V；。
带载时：IBQ＝20μA，ICQ＝2mA，UCEQ＝3V；。
（1）× （2）× （3）× （4）√ （5）× （6）× （7）× （8）√
（9）√ （10）× （11）× （12）√
（1） （2）12V （3） （4）12V （5）12V

1
11

（a）饱和失真，增大Rb，减小Rc。 （b）截止失真，减小Rb 。
（c）同时出现饱和失真和截止失真，增大VCC。
（a）截止失真 （b）饱和失真 （c）同时出现饱和失真和截止失真
（1）
1
12

（2）

空载时，
② ① ② ① ③
③ ② ① ③ ①
③ ③ ① ③ ③
（1）静态及动态分析：

1
13
(2) Ri增大，Ri≈；减小，≈－。


Q点：

动态：



图略。
（1）求解Q点：
1
14

（2）求解电压放大倍数和输入电阻：

（3） 求解输出电阻：
(1)

(2)
1
15

（a）源极加电阻RS。 （b）输入端加耦合电容，漏极加电阻RD。
（c）输入端加耦合电容 （d）在Rg支路加－VGG，＋VDD改为－VDD
（1）在转移特性中作直线uGS＝－iDRS，与转移特性的交点即为Q点；读出坐标值，得出IDQ＝1mA，UGSQ＝－2V。
在输出特性中作直流负载线uDS＝VDD－iD（RD＋RS），与UGSQ＝－2V的那条输出特性曲线的交点为Q点，UDSQ≈3V。
（2）

（1）求Q点：UGSQ＝VGG＝3V
从转移特性查得，当UGSQ＝3V时，IDQ＝1mA，UDSQ＝VDD－IDQRD＝5V
1
16
（2）求电压放大倍数：



（a）× （b）× （c）NPN型管，上-集电极，中-基极，下-发射极。
（d）× （e）× （f）PNP型管，上-发射极，中-基极，下-集电极。
（g）NPN型管，上-集电极，中-基极，下-发射极。
第三章 多级放大电路
自测题
一、（1）× （2）√√ （3）√× （4）× （5）√
二、（1）A A （2）D A （3）B A （4）D B （5）C B
三、（1）B D （2）C （3）A （4）A C （5）B （6）C
1
18
四、（1）IC3＝（UZ－UBEQ3）/ Re3＝ IE1＝IE2＝
（2）减小RC2。
当uI＝0时uO＝0，ICQ4＝VEE / RC4＝。

<br****题
（a）共射，共基 （b）共射，共射 （c）共射，共射 （d）共集，共基
（e）共源，共集 （f）共基，共集
图（a）