文档介绍：电力电子技术课件08
GTO的主要优缺点：
优点：电压电流容量大（比SCR略小）；开关速度比SCR高得多。
缺点：关断电流增益小，门极负脉冲电流大，驱动较困难；通态压降较大。
不少GTO都制造成逆导型，无反向阻断能力。当需要承受反向电S型（Metal Oxide Semiconductor FET）。至于结型电力场效应晶体管则一般称作静电感应晶体管（Static Induction Transistor ——SIT）。
工艺结构特点：
电力MOSFET属于单极型器件，只有一种极性的载流子（多子）参与导电。
采用垂直导电结构，故又称为VMOSFET（Vertical MOSFET）。这大大提高了MOSFET器件的耐压和耐电流能力（小功率MOS管的导电沟道平行于芯片表面，是横向导电器件）。
按垂直导电结构的差异，又分为利用V型槽实现垂直导电的VVMOSFET（Vertical V-groove MOSFET）和具有垂直导电双扩散MOS结构的VDMOSFET（Vertical Double-diffused MOSFET）。
电力MOSFET也是多单元并联集成结构。
控制方式：以G-S间施加电压的高低来控制D-S
间主电流的通断。源极S为公共端。门极几乎不取用电流，属压控器件。uGS正电压超过开启电压时导通，负电压作用可使其快速关断。
VMOSFET开关速度高的根本原因：开关控制机理上属于单极型（多子）导电器件，通过电场感应控制反型层沟道宽度，不存在正偏PN结所固有的载流子存储效应（失去了电导调制效应），也不存在少子复合问题。
影响开关速度的主要因素：开关时间主要决定于栅极输入电容Cin的充放电快慢，应尽可能减小栅极回路时间常数=RsCin。
特点：
优点：开关频率最高；驱动电流小，易驱动；通态电阻具有正温度系数（有利于器件并联均流）；
缺点：电压电流容量较小；通态压降较大，ID大则压降随之增大（因为无正向PN结的电导调制效应）。
不用时G-S间 短接，以防静电击穿。
§7. 4 绝缘栅双极型晶体管（IGBT）
结构特点：复合型器件，将GTR双极型电流驱动器件和电力MOSFET单极型电压驱动器件结合，相互取长补短，构成绝缘栅双极晶体管（Insulated-gate Bipolar Transistor——IGBT）。综合了GTR和MOSFET的优点，因而具有良好的特性。目前已取代了原来GTR和一部分电力MOSFET的市场。
控制方式：IGBT的驱动与VMOSFET类似，也是一种压控器件。其C-E间主电流的通断是由栅极和射极间的电压uGE的高低决定的。 E极为公共端。
当uGE为正且大于开启电压UGE(th)时，MOSFET内形成沟道，并为PNP型GTR提供基极电流进而使IGBT导通。当栅极与发射极间施加反向电压或不加信号时，MOSFET内的沟道消失，GTR的基极电流被切断，使得IGBT关断。
IGBT的特点：
开关速度高，开关损耗小。开关频率略低于MOSFET；
电压电流容量大，高于GTR；
驱动电流小，驱动电路简单。
§ 其它新型电力电子器件
MOS控制晶闸管(MCT)
MCT（MOS Controlled Thyristor）是将MOSFET与晶闸管组合而成的复合型器件。MCT将MOSFET的高输入阻抗、低驱动功率、快速的开关过程和晶闸管的高电压大电流、低导通压降的特点结合起来。MCT具有高电压、大电流、高载流密度、低通态压降的特点。
MCT曾一度被认为是一种最有发展前途的电力电子器件。因此，20世纪80年代以来一度成为研究的热点。但经过十多年的努力，其关键技术问题没有大的突破，电压和电流容量都远未达到预期的数值，未能投入实际应用。而其竞争对手IGBT却进展飞速。
静电感应晶体管SIT
SIT（Static Induction Transistor）实际上是一种结型场效应晶体管。SIT是一种多子导电的器件，其工作频率与电力MOSFET相当，甚至超过电力MOSFET，而功率容量也比电力MOSFET大，因而适用于高频大功率场合，目前已在雷达通信设备、超声波功率放大、脉冲功率放大和高频感应加热等某些专业领域获得了较多的应用。
缺点：正常导通型器件，在栅极不加任何信号时是导通的，栅极加负偏压时关断，使用不太方便；此外，SIT通态电阻较大，使得通态损耗也大，因而SIT还未在大多数电力电子设备中得到广泛应用。
静电感应晶闸管（SITH）
SITH（Static Induction Thyristor）又被称为场控晶闸管（Field Controlled Thyristor ——FCT）。由于比SIT多了一个具有少子注入功能的PN结，因而SITH是