文档介绍：模电课件双极型晶体管
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模电课件
本讲稿第一页，共十八页
一、晶体管的结构及类型
晶体三极管又称双极型晶体管、半导体三极管、三极管等。
发射区
集电区
基区
三极管的结构特点:
（1）发射区的掺杂浓度＞＞集电十八页
集电结
EB
RB
RC
EC
IEP
IE
IEN
IBN
（3）集电区收集从发射区扩散过来的自由电子
发射区扩散到基区并到集电结边缘的自由电子继续运动到集电区，形成电流 ICN ；
集电结反偏，内电场被加强，漂移运动加强，少数载流子的运动形成电流 ICBO ，是构成 IB 与 IC 的一小部分。
ICN
IC
ICBO
IB
本讲稿第七页，共十八页
EB
RB
RC
EC
IEP
IE
IEN
IBN
ICN
IC
ICBO
IB
2、电流分配关系
本讲稿第八页，共十八页
～
+
－
ui
EB
+
－
uI
RB
RC
EC
3、晶体管的共射电流放大系数
静态（直流）：当ui为零时，
uI=EB；
动态（交流）：
（1）令ui＝0，即静态
定义共射直流电流放大系数：
ICEO：穿透电流。
～
+
－
ui
EB
+
－
uI
RB
RC
EC
IC
IB
本讲稿第九页，共十八页
～
+
－
ui
EB
+
－
uI
RB
RC
EC
（2）令ui≠0，即动态
定义共射交流电流放大系数：
iC
iB
～
+
－
ui
EB
+
－
uI
RB
RC
EC
本讲稿第十页，共十八页
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模电课件
～
+
－
ui
Ee
+
－
uI
Re
RC
EC
iB
iC
iE
4、共基电流放大系数
定义共基直流电流放大系数：
定义共基交流电流放大系数：
本讲稿第十一页，共十八页
三、晶体管的共射特性曲线
1、输入特性曲线
测量电路
I
C
I
B
R
B
E
B
E
C
R
C
V
V
μ
A
mA
+
U
CE
－
+
U
BE
－
本讲稿第十二页，共十八页
（2）UCE增大，曲线右移；
UCE越大，从发射区扩散到基区的自由电子被VB拉走的数量越少，故要获得同样的iB，就需加大uBE；
（3）当UCE≥1V时，输入特性曲线重合；
（1） UCE ＝0 时，相当于两个PN结并联。曲线与PN结伏安特性相似；
本讲稿第十三页，共十八页
2、输出特性曲线
uCE/V
iC/mA
IB=0
IB=20μA
IB=40μA
IB=60μA
截止区
放
饱和区
工作状态：
放大、截止和饱和状态三种工作状态
（1）放大区（线性区）：iC与uCE无关，几乎仅仅受iB控制，IC= IB，ic= iB ， 发射结正偏，集电结反偏。
iC=f(uCE) IB=常数
大
区
本讲稿第十四页，共十八页
uCE/V
iC/mA
IB=0
IB=20μA
IB=40μA
IB=60μA
截止区
放大区
饱和区
（2）截止区：IB＝0曲线以下，可靠截止uBE ≤0V；发射结反偏，集电结反偏。
模拟电路：放大区 数字电路：截止和饱和区
（3）饱和区：uBE=(si)，且UCE ＜ UBE ，发射结正偏，集电结正偏。iB的变化对iC影响很小，不成正比， IC< IB 。
本讲稿第十五页，共十八页
四、晶体管的主要参数
1、直流参数
（1）共射直流电流放大系数
（3）极间反向电流：ICBO是发射极开路时集电结的反向饱和电流；ICEO是基极开路时集电极与发射极间的穿透电流， 。
2、交流参数
（1）共射交流电流放大系数
本讲稿第十六页，共十八页
（3）特征频率fT：使β的数值下降到1的信号频率。
3、极限参数
（1）最大集电极耗散功