文档介绍：光学基础知识光学基础知识————技术部技术部陈成权陈成权目目录录 1、芯片相关基础知识介绍目目录录 1 1) ) Pixel Size Pixel Size 2 2) ) Image Area And Active Array Size Image Area And Active Array Size 2、镜头投影分辨率介绍 3、模组相关基础知识介绍 1 1)模组解像力)模组解像力 LW/PH LW/PH 2 2)模组对焦高度计算)模组对焦高度计算 3 3)模组)模组 MTF MTF 标板线宽标板线宽 d d计算计算芯片相关基础知识介绍芯片相关基础知识介绍一、芯片相关基础知识介绍芯片的 Pixel Size , Image Area 和Active Array Size 在芯片资料的 Key specifications 中一般都可以查到,这些参数在分析中经常会用到。芯片 3590×2684 2360×1760 640×480 1280×1024 1600×1200 2048×1536 3626×2709 OV2640 OV3640 × × × × OV7670 OV9650 4170×3290 Active Array Size Image Area Pixel Size 类别注: a)Pixel Size 单位:微米 b )Image Area 单位:微米 c )Active Array Size 单位:个芯片相关基础知识介绍芯片相关基础知识介绍 1 1、、 Pixel Size Pixel Size Pixel Size :指芯片像素点尺寸大小,可理解为芯片可分辨的最小尺寸。以 OV7670 为例做介绍 μm 芯片可分辨的极限尺寸为 μm,即从理论上分析,当尺寸小于 μm的物体,芯片就无法分辨清楚了。芯片相关基础知识介绍芯片相关基础知识介绍 2 2、、 Image Area And Active Array Size Image Area And Active Array Size Image Area Image Area : :指芯片成像区域,即为芯片感光灰色区域。 3626 μm2709 μm像高尺寸像宽尺寸芯片相关基础知识介绍芯片相关基础知识介绍 Active Array Size Active Array Size : :芯片像素点矩阵排布 XY (0,0) (640,480) (0,480) (640,0) 镜头投影分辨率介绍镜头投影分辨率介绍二、镜头投影分辨率介绍镜头投影分辨率是通过每毫米的线对数来衡量,一般镜头中心分辨率高,越靠近边缘分辨率越低。我们实际应用中主要看中心分辨率和四周分辨率,其中四周分辨率是我们选择 MTF 标板的一个重要考量因素之一。 S3009A 100线对/MM 40线对/MM 像面 125线对/MM S3013A S3304H 200线对/MM 四周 S2209A 125线对/MM 160线对/MM 125线对/MM 63线对/MM 100线对/MM 中心 160线对/MM S2013A镜头投影分辨率介绍镜头投影分辨率介绍 1 1、、线对/ MM 线对线对/ MM / MM : :是指每毫米可以分辨多少个线对,评价镜头解像能力。 dd 2d1个线对例: 125 线对/ MM 1MM 内,可分辨 125 个线对,根据这个条件可以计算出线宽 d。 d=1MM/ (2× 125 ) =4 μm 即镜头极限可分辨激光雕刻为 4μm的投影标板,小于 4μm的投影标板就无法被分辨清楚。因镜头中心解像能力大于边缘解像能力,因此我们要根据镜头四周的解像能力来计算选用模组 MTF 标板。镜头投影分辨率介绍镜头投影分辨率介绍 2 2、、镜头像面镜头像面: 镜头像面: 是指镜头能够在芯片上的成像范围。一般设计产品上,选用镜头的像面要大于芯片感光面,否则成像会出现暗角。φ如镜头中心与芯片中心完全重合的条件下Φ 2≥像高 2+像宽 2 不会出现暗角Φ 2<像高 2+像宽 2 会出现暗角模组相关基础知识介绍模组相关基础知识介绍三、三、模组相关基础知识介绍 1 1、模组解像力、模组解像力 LW/PH LW/PH LW/ PH( 线宽每像高)是根据原始 ISO12233 标板高度定义出来的,原始标板高度 20cm ,标板刻度 1 处对应解像力 100LW/ PH 。根据这个条件这样我们可以计算出 100LW/ PH 位置处标板线宽 d: d=20cm/ ( 100LW/PH ) =2mm 解像力是通过标板上的线宽来间接反映,能