文档介绍：外文翻译富士IGBT模块应用手册
外文翻译富士IGBT模块应用手册
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附录Ａ
Fuji ＩGBT Moｄｕlｅs Ａpplicａｔion Ｍanuaｌ
Power ｃonｖeｒteｒs, suｃh nals iｎ the same waｙ ａs a powｅr MOSＦＥT.
Ｌiｋｅ the poｗer ＭOＳFEＴ， ａ positive vｏltａge ｂetｗeｅn ｔhe ｇate ａnｄ ｔｈｅ emitter pｒｏdｕces a ｃｕrrｅnt flow tｈrｏuｇh ｔhｅ IGＢＴ， ｓwｉtcｈinｇ it oｎ。 Whｅn ｔhe ＩGBT iｓ on， ｐｏsｉtive carrｉerｓ are injectｅｄ ｆｒｏm ｔhe ｐ+－lａyer oｎ the draｉn siｄe iｎｔo the n—ｔyｐe bａses laｙｅr， ｔｈeｒeby pｒecｉｐitatｉng coｎduｃtiｖity ｍｏdulａtion。 Thｉs
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enabｌes thｅ IGＢT ｔo acｈｉeｖe ａ much lower ｏｎ—resiｓtaｎｃe than a pｏwｅr MOSFEＴ。
Thｅ ＩGＢT has ａ ｖerｙ low ｏn ｒesｉｓtanｃe ｆor tｈe folloｗiｎg ｒeasons:A poｗer ＭOSFET ｂecｏｍｅs a sinｇｌe—ｌayer semicoｎduｃtｏｒ (ｎ—type ｉn ｔhｅ diagｒａm） wheｎ it is ｉｎ the on-ｓtate, and has resistor ｃｈaracteｒistics ｂｅtweeｎ ｔhｅ drａin ａｎd tｈｅ ｓoｕrce. The higheｒ thｅ breaｋｄown vｏltage ａnｄ tｈe device, thｅ ｔhicｋer the ｎ－layer has ｔo bｅ， but ｔhiｓ rｅsulｔs ｉn aｎ ｉnｃreased drａｉn－to—ｓｏuｒce reｓｉstanｃｅ。 Thｕs, ａｓ the ｂrｅaｋｄowｎ voｌtage inｃreases sｏ ｄｏeｓ ｔhｅ oｎ－reｓistanｃe,ｍakinｇ it dｉｆfｉcｕlt ｔo deｖeｌoｐ ｌａｒge capacｉty powｅr MOSFＥTs。
Ｕnｌike thｅ powｅr ＭOＳFＥT， ｔhe ｎ—basｅ ｌayer rｅsisｔance oｆ thｅ ＩGBＴ ｂecomeｓ ｎｅgｌiｇｉbｌe due tｏ ｔhe ｅｆfect ｏf ｔｈe pn dｉodｅ formｅｄ by ｔｈe junctｉoｎ of ｔhｅ adｄｅd p+－layｅr and n-tｙpe bａse layer whｅｎ ｖｉeｗeｄ ｆrｏm ｔｈｅ dｒaｉn ｓide。 As thｅ ideaｌ equiｖａｌeｎt cirｃuiｔ ｉn Ｆig. 1－2 shows， the IGBT ｉｓ a monoｌｉthｉc