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电工电子技术课件 03模电--2013.ppt

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电工电子技术课件 03模电--2013.ppt

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相关文档

文档介绍

文档介绍:模拟电子技术部分主要内容
半导体器件:了解二极管、稳压管和三极管的结构、 原理及主要参数的定义方法。
电力电子电路:整流、滤波电路及直流稳压电源的结 构原理。
基本放大电路:掌握双极型晶体管的共发射极、共集 电极放大电路工作原理,会确定电路流滤波电路如图所示已知 ,
通过稳压管的电流IZ和通过二极管的平均ID电流是【 】
(a) 5mA, (b) 8mA, 8mA
(c) 6mA, (d) 6mA,
d
Date
13
第三部分 模拟电子技术
C
E
T
B
IB
IE
IC
E
T
C
B
IB
IE
IC
C
E
发射区
集电区
基区
集电结
发射结
N
N
P
基极
发射极
集电极
B
C
E
P
P
N
B
4 三极管
①结构:
Date
14
第三部分 模拟电子技术
② 电流分配和放大原理
三极管放大的外部条件
B
E
C
N
N
P
发射结正偏、集电结反偏
从电位的角度看:
NPN
发射结正偏 VB>VE
集电结反偏 VC>VB
EB
RB
EC
RC
Date
15
第三部分 模拟电子技术
iB = F(uBE) UCE =常数
iB(A)
uBE(V)
20
40
60
80


UCE1V
输入特性
iC = F(uCE) IB =常数
iC(mA )
1
2
3
4
uCE(V)
3
6
9
12
IB=0
20A
40A
60A
80A
100A
此区域满足IC=IB称为线性区(放大区)。
输出特性
C
E
B
Date
16
第三部分 模拟电子技术
④、三极管工作区及判定:
iC(mA )
uCE(V)
IB=0
截止区
饱和区
放大区
截止区:
放大区:
饱和区:
IB
IC
C
E
B
Je 反偏
Je正偏
Je正偏
Date
17
第三部分 模拟电子技术
图示电路中的晶体管,当输入信号为3v 时,
工作状态是 【 】
(a)饱和 (b)截止 (c)放大 (d)不确定<br****题5
Date
18
第三部分 模拟电子技术
性能指标:
放大器
RS
uS
RL
ui
uo
A、放大电路的组成。
电压放大倍数高
. 单管放大电路
输入电阻大
输出电阻小
Date
19
第三部分 模拟电子技术
B 放大电路的分析方法
①静态分析
②动态分析
估算法
—利用静态等效电路
图解法
—利用晶体管特性曲线
微变等效电路法
图解法
RB
VBB
RC
ui
uo
T
VCC
RS
uS
+
-
iB
iC
iE
RL
输入回路
输出回路
IBQ ,UBEQ ,ICQ ,UCEQ
Au, Ri, Ro
Date
20
第三部分 模拟电子技术
1、固定偏置放大电路
Rb
+VCC
RC
C1
C2
T
RS
+
_
+
_
+
_
+
_
RL
+
_
Rb
+VCC
RC
T
直流通道
分析原则:信号源的作用为零。
电容元件在直流电源的作用下相当于断路。
⑴、放大电路的静态分析
Date
21
第三部分 模拟电子技术
直流通道
Rb
+VCC
RC
T
ICQ
IBQ
Date
22
第三部分 模拟电子技术
晶体管
微变等效模型
e
b
c
ic
ib
ube
uce
⑵、放大电路的动态分析
①、微变等效电路
ic
b
e
c
ib
ib
ube
uce
rbe
Date
23
第三部分 模拟电子技术
微变等效电路
短路
短路
+VCC
Rb
RC
C1
C2
T
RS
+
_
+
_
+
_
+
_
RL
+
_
RS
rbe
Rb
RC
RL
+
_
+
_
在中频信号的作用下,电容元件相当于短路。
Date
24
第三部分 模拟电子技术
②、参数计算:
rbe
Rb
RC
RL
RS
+
_
+
_
Date
25
第三部分 模拟电