蒸发率可以表达为其中Pe为源的蒸汽压可以表达为.doc

文档介绍：
Pe
，其中，Pe为源的蒸汽压，可以表达为
vap
2mkT
P
Pexp(
H/RkT)，
H为蒸发热，R0
为阿夫加德罗常数
e
0
0

Pe
，其中，Pe为源的蒸汽压，可以表达为
vap
2mkT
P
Pexp(
H/RkT)，
H为蒸发热，R0
为阿夫加德罗常数
e
0
0
（R0k ）。对于铝， H＝64000cal/mol。计算T＝1350K时，
dRevp/dT
铝蒸发率对于温度的灵敏度 S，即S 。
Revp/T
2. （选做）硅片直径为D，放置在高于小平面蒸发源正比，为束流与平面源法线方向的夹角（如图）

H的位置，假定蒸发流
。推导公式，用 D和H

F与cos成来表达硅片中
心的淀积薄膜厚度与硅片边缘的膜厚之比。
内容总结
（1）（R0k ）
（2）Revp/T