文档介绍：第四章场效应管放大电路 4 场效应管放大电路第四章场效应管放大电路?引言: (1) 它是利用改变外加电压产生的电场强度来控制其导电能力的半导体器件。(2) 它具有双极型三极管的体积小、重量轻、耗电少、寿命长等优点, (3) 还具有输入电阻高、热稳定性好、抗辐射能力强、噪声低、制造工艺简单、便于集成等特点。(4) 在大规模及超大规模集成电路中得到了广泛的应用。第四章场效应管放大电路 ,场效应管可分为两大类: (1) 结型场效应管(JFET) (2) 绝缘栅型场效应管(IGFET) 。 (1) 结型场效应管的结构、工作原理、特性曲线和主要参数(2) 绝缘栅型场效应管的结构、工作原理、特性曲线和主要参数(3) 场效应管放大电路。第四章场效应管放大电路 结型场效应管 1(a) 所示。在一块 N型半导体材料的两边各扩散一个高杂质浓度的 P+ 区,就形成两个不对称的 P+N 结,即耗尽层。把两个 P+区并联在一起,引出一个电极 g,称为栅极, 在N型半导体的两端各引出一个电极,分别称为源极 s和漏极 d。第四章场效应管放大电路场效应管的与三极管的三个电极的对应关系: 栅极 g-- 基极 b源极 s-- 发射极 e漏极 d-- 集电极 c 夹在两个 P+N 结中间的区域称为导电沟道(简称沟道)。图1(a) 所示的管子的 N区是电流的通道,称为 N沟道结型场效应管。第四章场效应管放大电路第四章场效应管放大电路 N沟道结型场效应管的电路符号如图 1(b) 所示。其中,栅极上的箭头表示栅极电流的方向(由 P区指向 N区)。由结型场效应管代表符号中栅极上的箭头方向,可以确认沟道的类型。 N沟道 JFET 的结构剖面图如图所示第四章场效应管放大电路第四章场效应管放大电路图中衬底和顶部的中间都是 P+ 型半导体,它们连接在一起(图中未画出)作为栅极 g。两个 N+ 区分别作为源极 s和漏极 d。三个电极 s、g、d分别由不同的铝接触层引出。如果在一块 P型半导体的两边各扩散一个高杂质浓度的 N+区,就可以制成一个 P沟道的结型场效应管。 P沟道结型场效应管的结构示意图和它在电路中的代表符号如图所示。第四章场效应管放大电路