ZnS离子束抛光过程中的粗糙度演变 武磊(1).pdf

文档介绍：第 卷第 期 西 安 工 业 大 学 学 报
３４ １２ 　 　 　 　 　ｕｓｅ　ａ
ｍｉｃｒｏｗａｖｅ　ｉｏｎ．Ｔｈｅ　ｖａｒｉａｔｉｏｎ　ｃｕｒｖｅｓ　ｏｆ　ｅｔｃｈｉｎｇ　ｒａｔｅ　ａｎｄ　ｓｕｒｆａｃｅ　ｒｏｕｇｈｎｅｓｓ　ｏｆ　ＺｎＳ　ａｒｅ　ｃｏｍｐａｒｅｄ　ｂｙ
ａｎａｌｙｚｉｎｇ　ｆａｃｔｏｒｓ，ｉｎｃｌｕｄｉｎｇ　ｔｈｅ　ｅｎｅｒｇｙ　ｏｆ　ｔｈｅ　ｉｏｎ　ｂｅａｍ，ｉｏｎ　ｂｅａｍ　ｃｕｒｒｅｎｔ　ｄｅｎｓｉｔｙ　ａｎｄ　ｉｏｎ　ｂｅａｍ　ｉｎｃｉｄｅｎｔ
ａｎｇｌｅ．Ｔｈｅ　ｒｅｓｕｌｔｓ　ｓｈｏｗ　ｔｈａｔ　ｗｈｅｎ　ｔｈｅ　ｅｎｅｒｇｙ　ｏｆ　ｉｏｎ　ｂｅａｍ　ｉｓ　４００ｅＶ，ｔｈｅ　ｃｕｒｒｅｎｔ　ｄｅｎｓｉｔｙ　ｏｆ　ｉｏｎ　ｂｅａｍ　ｉｓ　３５
ｍＡ　ａｎｄ　ｉｎｃｉｄｅｎｔ　ａｎｇｌｅ　ｉｓ　４５°，ｓｕｒｆａｃｅ　ｒｏｕｇｈｎｅｓｓ　ｏｆ　ＺｎＳ　ｄｅｃｒｅａｓｅｓ　ｍａｘｉｍａｌｌｙ　０．２３ｎｍ．
Ｋｅｙ　ｗｏｒｄｓ：　ｍｉｃｒｏｗａｖｅ　ｉｏｎ　ｓｏｕｒｃｅ；ｉｏｎ　ｂｅａｍ　ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ；ｅｔｃｈｉｎｇ　ｐｒｉｎｃｉｐｌｅ；ｅｔｃｈｉｎｇ　ｒａｔｅ；ｓｕｒｆａｃｅ　ｒｏｕｇｈｎｅｓｓ
作为宽禁带 族化合物半导体材料 阔的应用前景
　　ＺｎＳ Ⅱ－Ⅵ ， ．
属于直接跃迁型能带结构 与 等 半 导 随着微电子技术 激光技术 空间应用 技术和
， ＧａＡｓ、ＺｎＳｅ 、 、
体材料相比，具有机械强度高、物理化学性能稳定 能源开发技术的高速发展，高精度光学元件向着阵
等特 点 作 为 一 种 典 型 的 红 外 光 学 材 料 在 列化及大口径化的方向发展 这样的趋势对
； ，ＺｎＳ 。 ＺｎＳ
和 波段具有较高的红外透过 光学元件的表面精度要求也越来越高 通常需要达
３～５μｍ ８～１２μｍ ，
率 并且具有优良的光 机 热