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模拟电子技术第五版基础习题与解答.docx

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文档介绍

文档介绍:模拟电子技术基础****题与解答
。(1)利用硅二极管恒压降模型求电路的Id和V。的值;(2)
在室温(300K)的情况下,利用二极管的小信号模型求V。的变化范围。
国嗯,4」 图解2 4 J
模拟电子技术基础****题与解答
。(1)利用硅二极管恒压降模型求电路的Id和V。的值;(2)
在室温(300K)的情况下,利用二极管的小信号模型求V。的变化范围。
国嗯,4」 图解2 4 J
解(1)求二极管的电流和电压
V DD
- 10*
(10 -2 )V
3
1 10 'J
VO =2Vd =2 =
(2)求v。的变化范围
,温度 T= 300 K。
Vt
rd =r
I D
26mV

:
当 rd1=rd2=rd 时,则
2rd2
vO t Vdd 二 1V = 6mV
R 2rd(1000 2 …)
VO 的变化范围为(VO +AvO) ~ (VO — AvO),即 〜 。
,试判断图中的二极管是导通还是截止,并求出 AO两端
电压Vao。设二极管是理想的。
—―I Z —
“ I 111
解 图a:将D断开,以。点为电位参考点,D的阳极电位为一6 V,阴极电位为一12 V,
故D处于正向偏置而导通,Vao= "6 V。
图b:D的阳极电位为一15V,阴极电位为一12V , D对被反向偏置而截止,VAO=— 12V。
图c:对Di有阳极电位为 0V,阴极电位为一12 V,故Di导通,此后使 D2的阴极电位
为0V,而其阳极为—15 V,故D2反偏截止,Vao=0 V。
图d:对Di有阳极电位为12 V,阴极电位为0 V ,对D2有阳极电位为12 V ,阴极电位

—6V .故D2更易导通,此后使 Va=—6V; D1反偏而截止,故 Vao = — 6V。
,为什么?
解图a:将D断开,以“地”为电位参考点,这时有
10k
(140 10)k, 1
15V =1V
一丝一 10V —5k-- 15V =
(18 2)k「「 (25 5)k-j
D被反偏而截止。
图b:将D断开,以“地”为参考点,有
Va
10k'.1 15V = 1V
(140 10)k'J
展7(-10”屋、⑸内
Ri 增 2 .J 4
D被反偏而截止。
图c:将D断开,以“地”为参考点,有
Va

(140 10)k'J
15V =1V
Vb 二 一2k ’20V—5k-- 15V
(18 2)k「J(25 5)k「J
D被正偏而导通。
,D1,D2为硅二极管,当Vi= 6 sin cotV时,试用恒压降模型
和 折线模型(Vth= V, rD= 200 Q)分析输出电压 vo的波形。
解(1)恒压降等效电路