文档介绍：芯片制造-半导体工艺教程
芯片制造-半导体工艺教程
Microchip Fabrication
             ----A Practical Guide to Semicondutor Processing
导体器件销售额的12%。2到20世纪50年代的早期半导体工业进入了一个非常活泼的时期，为晶体管收音机和晶体管计算机提供器件。
集成电路
分立器件的统治地位在1959年走到了尽头。那一年，在得州仪器公司工作的新工程师 Jacky Kilby 在一块锗半导体材料上制成了一个完整的电路。他的创造由几个晶体管、二极管、电容器和利用锗芯片天然电阻的电阻器组成。这个创造就是集成电路〔integrated circuit〕，第一次成功地在一块半导体基材上做出完整的电路。
Kilby的电路并不是现今所普遍应用的形式，它是经Robert Noyce，然后最终在Fairchild Camera完成的。，我们可以注意到器件是用单独的线连接起来的。
早些时候在Fairchild Camera的Jean Horni 就已经开发出一种在芯片外表上形成电子结来制做晶体管的平面制作工艺〔〕。平面形式是利用了硅易于形成氧化硅并且为非导体〔电绝缘体〕的优点。Horni的晶体管使用了铝蒸汽镀膜并使之形成适当的形状来作器件的连线，这种技术称为平面技术〔planar technology〕。
Horni应用这种技术把预先在硅外表上形成的器件连接起来。
Kilby和Horni的集成电路成为所有集成电路的模式，这种技术不仅符合当时的需要，而且也是小型化和推开工业开展的生产有效本钱制造业的根源。Kilby和Horni共同享有集成电路的专利。
Kibly书中记载的集成电路
工艺和产品趋势
从1947年开始，半导体工业就已经呈现出在新工艺和工艺提高上的持续开展。工艺的提高导致了具有更高集成度和可靠性的集成电路的产生，从而推动了电子工业的革命。这些工艺的改良归为两大类：工艺和结构。工艺的改良是指以更小尺寸来制造器件和电路，并使之具有有更高的密度，更多数量和更高的可靠性。结构的改良是指新器件设计上的创造使电路的性能更好，实现更佳的能耗
控制和更高的可靠性。
集成电路中器件的尺寸和数量是IC开展的两个共同标志。器件的尺寸是以设计中最小尺寸来表示的，叫做特征图形尺寸, 通常用微米来表示。一微米为1/10,000厘米或约为人头发的1/100。
英特尔公司的创始人之一Gordon Moore在1964年预言集成电路的密度会每十八个月翻一番，这个预言后来成为著名的摩尔定律并被证明十分准确〔〕。
集成度水平表示电路的密度，也就是电路中器件的数量。集成度水平〔integration level〕〔〕的范围从小规模集成〔SSI〕到超大规模〔ULSI〕集成电路，ULSI集成电路有时称为甚大规模集成电路(VVLSI). 群众刊物上称最新的产品为百万芯片〔megachips〕。
除集成规模外，存储器电路还由其存储比特的数量来衡量〔一个4兆的存储器可存储四百万比特〕，逻辑电路的规模经常用栅极〔栅极是逻辑电路中根本的功能元件〕的数量来评价。
#1  第一章 半导体工业—2
  Quote:
内部连线水平的提高
元件密度的增加带来了连线问题。在住宅区的比喻中, 用来增加密度的策略之一是减小街道的宽度，但是到一定的程度时街道对于汽车的通行来说就会太窄。同样的事情也会发生在IC设计中，元件密度的增加和紧密封装减小了连线所需的空间。解决方案是在元件形成的外表上使用多层绝缘层和导电层相互叠加的多层连线。
SIA的开展方向
主要的IC参数是相互关连的。摩尔定律预言了未来元件的密度，由此引发了集成度水平〔元件密度〕、芯片尺寸、缺陷密度〔和尺寸〕和所要求的内部连线数量水平的计算。半导体工业协会以一系列“路线图〞的形式对这些及其它关键器件和产品参数的未来作了展望。
孔连接 M1=第一层金属 M2=第二层金属
图 经过平面化工艺具有两金属的VLSI典型结构的横切面, 它显示了经过平面化工艺后孔深的范围. (经Solid State Technology允许)
芯片本钱
也许工艺和产品提高所带来的最大影响就是芯片的本钱。。对于任何成熟的产品这个曲线都有代表性。价格开始时高，但随着技术的成熟和制造效率的提高价格会下降