封装失效分析1.docx

文档介绍：封装失效分析1
第二单元 集成电路芯片封装可靠性知识—郭小伟
（60学时）
第一章、可靠性试验 1．可靠性试验常用术语
试验名称 英文简称
常用试验条件 备注 温度循环 TCT （T

封装失效分析1
第二单元 集成电路芯片封装可靠性知识—郭小伟
（60学时）
第一章、可靠性试验 1．可靠性试验常用术语
试验名称 英文简称
常用试验条件 备注 温度循环 TCT （T/C ）
－65℃~150℃, dwell15min, 101cycles 试验设备采用气冷的方式，此温度设置为设备的极限温度 高压蒸煮 PCT
121℃，101RH., 2ATM,96hrs 此试验也称为高压蒸汽，英文也称为autoclave 热冲击 TST （T/S ） －65℃~150℃, dwell15min,
50cycles
此试验原理与温度循环相同，但温度转换速率更快，所以比温度循环更严酷。 稳态湿热 THT 85℃,85%RH.,
168hrs
此试验有时是需要加偏置电压的，一般为Vcb=~,此时试验为THBT 。 易焊性 solderability 235℃,2± 此试验为槽焊法，试验后为10~40倍的显微镜下看管脚的
上锡面积。
耐焊接热 SHT


260℃,10±1s 模拟焊接过程对产品的影响。
电耐久 Burn in Vce=, Ic=P/Vce,168hrs 模拟产品的使用。（条件主要针
对三极管）
高温反偏 HTRB 125℃, Vcb=~, 168hrs 主要对产品的PN 结进行考核。回流焊 IR reflow Peak ℃ （225℃） 只针对SMD 产品进行考核，且
最多只能做三次。
高温贮存 HTSL 150℃,168hrs
产品的高温寿命考核。
超声波检测 SAT CSCAN,BSCAN,TSCAN 检测产品的内部离层、气泡、裂缝。但产品表面一定要平整。

第二单元 集成电路芯片封装可靠性知识—郭小伟
（60学时）
第一章、可靠性试验 1．可靠性试验常用术语
试验名称 英文简称
常用试验条件 备注 温度循环 TCT （T/C ）
－65℃~150℃, dwell15min, 101cycles 试验设备采用气冷的方式，此温度设置为设备的极限温度 高压蒸煮 PCT


121℃，1