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设计流程简介.docx

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文档介绍:.
1 目的希望以简短的篇幅,将公司目前设计的流程做介绍,若有介绍不当之处,请不吝指教设计步骤:
)
Dutycycle:
假设Np=44T,Ns=2T,Vd=0.5(使用schottkyDiode)
决定
NsVoVdDNp
Vin(min)D
23.30.51-D
44
90D
Ip值:
=D=48.2%
Ip二Iav
Pout
IaVVin(min)xxD
13.2
90x0.7x0.482
=0.435A
.Vin(min)D-Ix_=
Lp
旦%進=0.603人1600u45K
丄0.603Ip=0.4350.737A2决定辅助电源的圈数:假设辅助电源=12VNs3.823.8Na1=6.3圈Na112Na112
假设Np使用0.32书的线假设使用0.23书的线
可绕圈数=
4.4(0.230.02)
=19.13圈
若Nai=6Tx2P,则辅助电源=11.4V决定MOSFET及二次侧二极管的Stress应力):
NpMOSFET(Q1)=最高输入电压(380V)+VoVDNs=3803.30.52=463.6VNsDiode(D5)=输出电压(Vo)+x最高输入电压(380V)Np=3.32x38044=20.57V
Diode(D4)=輸出電壓(NA2)'X最高輸入電壓(380V)Np4=6.6x380=41.4V44其它:
因为输出为3.3V,而TL431的Vref值为2.5V,若再加上photocoupler上的压降约1.2V,将使得输出电压无法推动Photocoupler及TL431,所以必须另外增加一组线圈提供回授路径所需的电压。
假设Na2=4T使用0.35书线,则可绕圈数=:=1158T,所以可将*2定为4Tx2P(0.35+0.03)
Ns
3.8
2
3.8



Va2-7.6V
Na2
Va2
4
Va2
B(maX»
LpxIp
x100
(Gauss)二1600x°.737x100=3116.3Gauss

NpxAe

44x0.86


变压器的接线图0.32①x1Px22T
J5
——
0.35①x4Px2T
0.32①x1Px22T
O-
0-
0.23①x2Px6T
0.35①x2Px4T
4
N.
N3




2.3 零件选用:
零件位置(标注)请参考线路图:(DA-14B33Schematic)
2.3.1 FS1:
由变压器计算得到lin值,以此Iin值(0.42A)可知使用公司共享料2A/250V,设计时亦须考虑Pin(max)时的Iin是否会超过保险丝的额定值。
2.3.2 TR1(热敏电阻):
电源激活的瞬间,由于C1(一次侧滤波电容)短路,导致Iin电流很大,虽然时间很短暂,但亦可能对Power产生伤害,所以必须在滤波电容之前加装一个热敏电阻,以限制开机瞬间Iin在Spec之内(115V/30A,230V/60A),但因热敏电阻亦会消耗功率,所以不可放太大的阻值(否则会影响效率),一般使用SCK053(3A/5Q),若C1电容使用较大的值,则必须考虑将热敏电阻的阻值变大(一般使用在大瓦数的Power上)。
2.3.3 VDR1(突波吸收器):
当雷极发生时,可能会损坏零件,进而影响Power的正常动作,所以必须在靠AC输入端(Fuse之后),加上突波吸收器来保护Power(一般常用07D471K),但若有价格上的考量,可先忽略不装。
2.3.4 CY1,CY2(Y-Cap):
Y-Cap一般可分为Y1及Y2电容,若ACInput有FG(3Pin)一般使用Y2-Cap,ACInput若为2Pin(只有L,N)一般使用Y1-Cap,Y1与Y2的差异,除了价格外(Y1较昂贵),绝缘等级及耐压亦不同(Y1称为双重绝缘,绝缘耐压约为Y2的两倍,且在电容的本体上会有“回”符号或注明Y1),此电路因为有FG所以使用Y2-Cap,Y-Cap会影响EMI特性,一般而言越大越好,但须考虑漏电及价格问题,漏电(LeakageCurrent)必须符合安规须求(3Pin公司标准为750uAmax)。
2.3.5 CX1(X-Cap)、RX1:
X-Cap为防制EMI零件,EMI可分为Conduction及Radiation两部分,Conduction规范一般可分为:FCCPart15JClassB、CISPR22(EN55022)ClassB两种,FCC测试频率在450K〜30MHz,CISPR22测试频率在150K~30MHz,Conduction可在厂内以频谱分析仪验证,Radiation则必须到实验室验证,X-

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上传人:mazhuangzi1 2022/5/19 文件大小:248 KB

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