征求-硅基MEMS制造技术 纳尺度结构冲击实验方法.pdf

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IGB/T XXXXX—XXXX
前 言
本标准按照GB/-2009给出的规则起草。
本标准由全国微机电技术标准化技术委员会（SAC/TC 336）提出并归口。
本标准起草单位：
本标准主要起草人：
IIGB/T XXXXX—XXXX
微机电系统（MEMS）技术
硅基 MEMS 纳尺度结构冲击试验方法
1 范围
本标准规定了硅基MEMS制造技术中所涉及的纳尺度结构冲击试验的要求和试验方法。
本标准适用于采用微电子工艺制造的纳尺度结构在一次冲击负荷作用下的耐冲击性能的测试。
2 规范性引用文件
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅所注日期的版本适用于本文
件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。
GB/T 26111-2010 微机电系统（MEMS）技术 术语和定义
GB/T -2018 试验机词汇 第1部分：材料试验机
GB/T -2007 电工术语 电动工具
3 术语和定义
GB/T 26111-2010、GB/T -2018和GB/T -2007界定的术语和定义适用于本文件。

硅加工工艺 silicon process
硅微加工技术。
注：虽然硅工艺一般分为表面微加工和体硅微加工，但其中的许多技术是相同的。
[GB/T 26111-2010，]

原位片上冲击试验机 in situ on-chip impact tester
将测试结构同测试装置集成在同一晶圆上采用同一工艺流程加工形成的，并 用于评估工艺相关微纳
结构抗冲击性能的试验机。

测试结构 test structure
为了测量材料性能或微结构的性能专门制作的微结构（例如，悬臂梁或者是固定梁）。
[GB/T 26111-2010，]
注：本标准中为双端固定梁。

测试装置 test device
1GB/T XXXXX—XXXX
将力或位移传递到测试结构同时可以读出力或位移的微结构。

挠度 deflecting
试样产生弯曲变形时，横截面中心在垂直于变形前轴线方向上的位移。
[GB/T -2018，]

冲击能量 impact energy
K
冲击类工具的冲击体在规定条件下，冲击达到工作位置时所具有的能量。
[GB/T -2007，]
注：本标准中冲击体为冲击锤。
4 要求
原位片上纳尺度结构冲击试验机的设计要求
原位片上试验机的示意图和三视图如图1和图2所示。（悬置段）
纳米测试结构
冲击锤