文档介绍：u
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短路保护
栅极驱动电路:
⑴ 典型的IGBT栅极驱动电路
三菱IGBT模块应用技术要点
Mitsubishi IGBT模块的命名方法:
将标 批号
IGBT模块的应用要点，电机驱动用变频器电路:
过温保护
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短路保护
栅极驱动电路:
⑴ 典型的IGBT栅极驱动电路
三菱IGBT模块应用技术要点
Mitsubishi IGBT模块的命名方法:
将标 批号
IGBT模块的应用要点，电机驱动用变频器电路:
过温保护
时压等芻
如：仁(6D0V), 24 (1200VX 34 (1700V｝等 集列乳代表了采冃的科片技术 如NFR系列采用第5代技术
驱动电圧选择
驱动功率选择
槌块种类 CMzIGBT^
额定屯流
（例）300. Ic-SOOA
内部连播方武一^二 H, D, T,尺
夕卜於等变更 \ D, U尊
R： 了单元(含制动)
TC- 6^-te(3相逆舸 B= 4单7G(枫相逆变) D： 2单五
H： I单尤
E2： IGBT (P侧 1 + 二极
'T¥PE两「亍血⑹巴
N0 : SEI AA' <1-00
| I¥1 T$LFBINHI ELECTRIC ；
■催 GORFORATION JAPAN ■ H
｛过压保护
E3
r制动tIGBT. N侧｝
匚■ 门极驱动电路
DC-DC
保护电路
CPU & FPGA
光耦
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IN
O
Q-
L.
Ql
i=i
Roff
①综合考虑IGBT短路承受能力和损耗，栅极电压的推荐值为+VGE=15V±10%,
-VGE=5 - 10V,负压对关断损耗有影响。
②栅极电阻RG的选取应该综合考虑浪涌电压(“di/dt)和开关损耗的折衷。
③光耦的共模信号抑制比(CMR)应当足够高。文章来源:
常用的驱动电阻布置:
6 20V
栅极驱动功率计算:
隔离电路③ 高速
高CMR
o£ZH
1 0
■Vqe
正负偏压① 栅极电魁②
■FJ5V
-10V
良好的响应特性，有助于减小开关损耗; 设计复杂。
'-+15V
RoE
4 Q2
-.0；
简单易用
能够满足IGBT驱动要求
Le^iel
Levd
Shdter
IGBT冲來巴阱SS芮肺嚮、田 册雷冒番册霧MfflIG(pk)斗普-H-
IG(pk) H ±AVGE、RG 册幫营«斗普-H-
PAVU ±AVGE*QG*f
AVGE n VGE(on) + 一 VGE(03一
QG n 泡§s芮册al
DI
Qi
T1
Dz
ZS
Kg
QI；
R1
ov
? +15V
正负电源供电时的推荐电路D1钳位到正驱动电源尤为重要可以非常有效降低短路电流。
单电源供电时的适用，可以有效避免对应桥臂动作时的IGBT误动作；但是关断损耗比双电
源时略有增大。
结温的计算:
结温是判断IGBT能否可靠运行的重要依据！ ！！