文档介绍：LED蓝宝石基板介绍
1:蓝宝石详细介绍
蓝宝石组成为氧化铝(Al2O3)，是由三个氧原子和两个铝原子以共价键型式结合而成,-Plane,C-Plane及R-Plan
品检: 确保晶棒品质以及以及掏取后晶棒尺寸与方位是否合客户规格
机械加工
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蓝宝石基片制造工艺流程
晶棒 基片
定向:在切片机上准确定位蓝宝石晶棒位置,方便于精准切片加工
切片:将蓝宝石晶棒切成薄薄晶片
研磨:去除切片时造成晶片切割损伤层及改进晶片平坦度
倒角:将晶片边缘修整成圆弧状,改进薄片边缘机械强度,防止应力集中造成缺点
抛光:改进晶片粗糙度,使其表面到达外延片磊晶级精度
清洗:去除晶片表面污染物(如:微尘颗粒,金属,有机玷污物等)
品检:以高精密检测仪器检验晶片品质(平坦度,表面微尘颗粒等),以合乎客户要求
机械加工
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4 蓝宝石基板应用种类
广大外延片厂家使用蓝宝石基片分为三种:
1:C-Plane蓝宝石基板
、成本相对较低、物化性能稳定,在C面进行磊晶技术成熟稳定.
2:R-Plane或M-Plane蓝宝石基板
主要用来生长非极性/半极性面GaN外延薄膜,，而c轴是GaN极性轴，造成GaN基器件有源层量子阱中出现很强内建电场，发光效率会所以降低，发展非极性面GaN外延，克服这一物理现象，使发光效率提升。
3:图案化蓝宝石基板(Pattern Sapphire Substrate简称PSS)
以成长(Growth)或蚀刻(Etching)方式,在蓝宝石基板上设计制作出纳米级特定规则微结构图案藉以控制LED之输出光形式，并可同时降低生长在蓝宝石基板上GaN之间差排缺点，改进磊晶质量，并提升LED内部量子效率、增加光萃取效率。
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1:C-Plane蓝宝石基板
C-，突破了InGaN 与蓝宝石基板晶格不匹配（缓冲层）、p 型材料活化等等问题后，终于在1993 ,使用InGaN材料,经过MOCVD 技术并不停加以改进蓝宝石基板与磊晶技术,提升蓝光发光效率,同时1997年开发出紫外LED，1999年蓝紫色LED样品开始出货，年开始提供白光LED。从而奠定了日亚化学在LED领域先头地位.
台湾紧紧跟随日本LED技术,台湾LED发展先是从日本购置外延片加工,进而买来MOCVD机台和蓝宝石基板来进行磊晶,之后台湾本土厂商又对蓝宝石晶体生长和加工技术进行硕士产,经过自主研发,取得LED专利授权等方式从而实现蓝宝石晶体,基板,外延片生产,外延片加工等等自主生产技术能力,一步一步奠定了台湾在LED上游业务中主要地位.
当前大部分蓝光/绿光/,以美国Cree企业使用SiC为基板为代表LED产品则跟随其后.
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2:图案化蓝宝石基板 (Pattern Sapphire Substrate简称PSS)
以蚀刻(在蓝宝石C面干式蚀刻/湿式蚀刻)方式,在蓝宝石基板上设计制作出微米级或纳米级含有微结构特定规则图案,藉以控制LED之输出光形式(蓝宝石基板上凹凸图案会产生光散射或折射效果增加光取出率),同时GaN薄膜成长于图案化蓝宝石基板上会产生横向磊晶效果,降低生长在蓝宝石基板上GaN之间差排缺点，改进磊晶质量，并提升LED内部量子效率、增加光萃取效率。与成长于普通蓝宝石基板LED相比,亮度增加了70%、合晶、兆晶，,价格逐步稳定,而大尺寸(如6/8英寸)普通蓝宝石基板与2英寸图案化蓝宝石基板处于成长久,价格也较高,其生产商也是主推大尺寸与图案化蓝宝石基板,.
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图9:纳米图案化蓝宝石基板图
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3:R-Plane或M-Plane蓝宝石基板
通常，C面蓝宝石衬底上生长ＧａＮ薄膜是沿着其极性轴即ｃ轴方向生长，薄膜含有自发极化和压电极化