文档介绍：凝聚态物理2隧穿晶体管刘强
减小λ的方法
；
：环栅、小的体厚；
。
N-
G
N+
P++
在几纳米内分出4凝聚态物理2隧穿晶体管刘强
减小λ的方法
；
：环栅、小的体厚；
。
N-
G
N+
P++
在几纳米内分出4、5个浓度数量级
无掺杂区域
λ1
λ2
2022/6/10
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漏电流的产生
漏电流的产生：
降低掺杂浓度
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III-V族半导体
栅极电压Vg
如何有窄的Eg和有效质量较小的载流子？
Group III-V-semiconductor-based TFETs
Si、Ge是间接带隙半导体，而GaAs、InAs、InSb等是直接带隙半导体，可以提供较高的迁移率。
2022/6/10
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TFET的缺点
缺点1：工作电流太小
缺点2：工作频率低可应用于高温中频低功耗电路。
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隧穿晶体管极限？
、掺杂条件下，其SS可以突破60mv/dec限制。
、低功耗、高温等条件下对MOSFET有一定优势。
-J-TFET可以显著改善TFET的工作电流。在Ioff和Ion之间有较好的折中。
，才对现有的MOSFET有较大的替代优势。这需要更多的实验分析和更普遍的器件模型。
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