文档介绍：半导体。硅。光伏基础知识
适用于年终总结/工作计划/述职报告/策划方案等
2020
2、杂质的来源
由于制备半导体材料的技术水平和能力有限，总不可避免地使半导体中存在有没用的杂质（非Ⅲ、Ⅴ族），如铁、碳、氧等，成为有害杂质。而有半导体。硅。光伏基础知识
适用于年终总结/工作计划/述职报告/策划方案等
2020
2、杂质的来源
由于制备半导体材料的技术水平和能力有限，总不可避免地使半导体中存在有没用的杂质（非Ⅲ、Ⅴ族），如铁、碳、氧等，成为有害杂质。而有些杂质是生产过程中故意掺入的，如掺入适量的磷或者硼（Ⅲ、Ⅴ族）等，以有效改善和利用半导体的电学性能。
掺入的杂质主要是三价或五价元素。掺入五价元素的杂质（鳞、锑或***）可形成N型半导体，掺入三价元素的杂质（如硼，镓、铟或铝）可形成P型半导体。掺入杂质的本征半导体称为杂质半导体
单晶硅内部硅原子都是按一定的周期排列的，晶面均一，电性能稳定，且易控制，晶体缺陷较少。多晶硅是由多个小单晶无规则的堆积而成的，晶面杂乱，电性能不稳定，且不易控制；存在大量的晶体缺陷，晶粒间界含有大量杂质，成为复合中心。
硅作为最常见的半导体材料，位于元素周期表中的第Ⅳ主族，其特点是原子的最外层有4个价电子。硅的原子序数为14，其原子的原子核外电子排布为2-8-4，硅晶体靠共价键结合，晶格结构属于正四面体的金刚石结构。
4、硅简介
二、半导体的特殊性质和 能带理论
1、半导体的电阻率对温度的反应灵敏。
纯净半导体的电阻率随温度变化很显著，而且电阻率随温度升高而下降。例如纯锗，当温度从20℃升高到30℃时，电阻率就降低一半左右。而金属的电阻率随温度的变化比较小，而且随温度升高电阻率增大。
2、微量的杂质能显著地改变半导体的电阻率
微量的杂质能显著地改变半导体的电阻率。例如在纯硅中掺入6×1015 /cm3 的杂质磷或锑，即在硅中掺入千万分之一的杂质，就能使它的电阻率从 ×105Ω·cm 减小到1 Ω·cm ，降低了 20 万倍。晶格结构的完整与否也会对半导体导电性能有极大的影响。因此在制作半导体器件时除人为地在半导体中掺入有用杂质来控制半导体的导电性外，还要严格防止一些有害杂质对半导体的沾污，以免改变半导体的导电性能。但金属中含有少量杂质时，看不出电阻率会有什么显著的变化。
3、适当的光照可使半导体的电阻率显著改变。
适当的光照可使半导体的电阻率显著改变。当某种频率的光照射半导体时，会使半导体的电阻率显著下降，这种现象叫光电导。自动控制中用到的光敏电阻就是利用半导体的光电导特性来制成的。但是，金属的电阻率不受光照影响。
谢谢